原子层沉积 - Beneq.PDF

原子层沉积 Technology 倍耐克 – 卓越的薄膜设备和技术供应商 原子层沉积(ALD)是一种适合于研制最新的和前沿性的产品 原子层沉积(ALD)技术曾被认为是比较慢的、适合具有高附 的薄膜制备技术。原子层沉积(ALD)也是一种用于高级纳米 加值的薄膜制备技术；不适用于制备厚的薄膜，如几个微 技术研究的有效方法。 典型的原子层沉积(ALD)应用是在各 米厚的薄膜，至少不是一种低成本的方法。实际情况完全 种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳 相反，原子层沉积(ALD)技术对制备较厚的薄膜没有真正的 米薄膜。针对目前的市场需要， 倍耐克公司通过提供开创 困难，而且总的生产成本也不高。 性应用技术和可接受的购置成本的原子层沉积设备为企业 的快速发展提供了必要的条件。 大批量，自动化的工艺流程和可靠的，易操作的设备是成 功的工业应用的关键。Beneq的原子层沉积设备是建立在25 年苛刻的24/7工业条件下连续生产的经验基础之上的，就 像前面提到的TFEL显示器制造。 基本的技术特点 原子层沉积(ALD)是一种适合于产品创新的技术。它可以提 供现有技术无法经济高效或者根本无法实现的薄膜和材料 特性。原子层沉积(ALD)作为一种薄膜制备技术可以提供: • 以真正的纳米尺度精确控制薄膜厚度 用ALD制成的纳米涂层。图片提供: Alasaarela (左)和Kauppinen Jiang (右), • 无针孔薄膜，例如高质量的阻挡层和表面钝化 Aalto大学, 芬兰。 • 在大批量大面积的基底材料和复杂的三维物体表面制备 高保 形薄膜，包括疏松多孔的基体材料和粉末。 • 新工程材料和结构，比如纳米涂层 介绍 • 高重复性和可扩展的工艺 原子层沉积(ALD)可归类于一种化学气相沉积技术。在该 技术开发的初期，它被用于生产纳米叠加结构的绝缘体 原子层沉积(ALD)的薄膜制备过程 (AlO /TiO )和薄膜电致发光显示器（TFEL）的硫化锌(ZnS) 2 3 2 发光膜。得益于原子层沉积(ALD)技术的发展，这种显示器 原子层沉积(ALD)是基于表面控制的薄膜沉积技术。在镀膜 在80年代中期开始大规模的生产。原子层沉积技术特有的 过程中，两种或更多的化学气相前驱体依次在基底表面发 属性和工艺的高可重复性是这种显示器能够成功工业化生 生化学反应从而产生固态的薄膜。大多数原子层沉积系统 产的关键因素。 采用一种横流式反应腔，在该反应腔内有惰性载气穿过； 前驱体通过极短的脉冲注入到这个惰性载气中。 惰性载气 原子层沉积(ALD)是一种成熟的