氧空穴在BaMgAl10O17荧光粉的能量转移过程中的作用.pdfVIP

维普资讯 第31卷 第 1期 电 子 器 件 Vo1．31 No．1 2008年 2月 ChineseJournalOfElectronDevices Feb，2008 TheRoleofOxygenVacancyin theEnergyTransfer ProcessesofBaM gAi1oO17：Eu十 Phosphor TannoHiroaki ，ZHANGShu—xiu一，UchidaCffichiro，ShinodaTsutae，KajiyamaHiroshi ／ 1．GraduateSchoolofAdvancedSciencesofMatter，HiroshimaUniv．，Hiroshima739—8530，Japan；、 ＼2．DevelopmentDivisionofFunctionalMaterials，Dydne Corp，，Saga849—0124，Japan ／ Abstract：Photoluminescence (PL)andthermoluminescence (TL)characteristicsoftheundopedandEu— dopedBaMgAll00l7(BAM)phosphorsareinvestigatedundervacuum ultraviolet(VUV)excitation．Itis foundthathostemissionfrom theundopedBAM isstronglyrelatedtotheelectrontrapsderivedfrom the defects．W ebelievethatthesedefectsarerelativetotheoxygenvacanciesintheconductionlayerofBAM host．WehavealsoconfirmedthatthedefectsexistintheBAM hostafterdopingEu+ions．Basedon theseresults，wehaveproposedanenergytransfermodelforBAM ：Eu抖 phosphorunderVUV excitation． Keywords：BAM ：Eu抖 ；oxygenvacancy；energytransfer EEAoC：2320；4220M 氧空穴在 BaMgAIl0O17荧光粉的能量转移过程中的作用 丹野 裕明1,2，张书秀 ，内田 仪一郎 ，绦田 傅 ，栀山 博司 ／1．广岛大学 高等材料科学研究生院； 、 ＼2．大电株式会社功能材料部 ，佐贺 849--0124日本 摘 要：研究不掺杂和掺Eu的BaMgA1。0l(BAM)荧光粉在真空紫外激发的光致发光(PL)、热致发光(TL)性能。研究发现不 掺杂的BAM发射的空穴与缺陷产生的电子陷阱有很大的关系。我们认为这些缺陷与BAM空穴导电层的氧空穴有关。我们还 认为掺了E 的BAM主体存在着缺陷。基于这些结果，我们提出了一种真空紫外激发BAM：Eu2荧光粉的能量转移模型。 关键词 ：BAM：Euz；氧空穴；能量转移 中图分类号：TN104．3 文献标识码 ：A 文章编号：10o5·949O(2OO8)O1一O179-O5 Divalenteuropium activatedbarimu magnesimu a— thehosttoactivator．Howe，eta1．reportedthatundo— luminate：BaMgAll0017：Eu2+(BAM：Eu2+)isan