甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 : ) #%%) ) ， ， ， +EA 3: QE 3 ) =JBJRS #%%) （ ） !%%%.$#(%L#%%)L: %) L:!%:.%* =1M= /,NOP1= OPQP1= !#%%) 1D@F 3 /DTR 3 OEK 3 甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板 电极间真空电势差分布研究! ） ） ） ） ） ! ! ! # ! 葛 洪 张晓丹 岳 强 赵 静 赵 颖 !）（南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室， 光电信息技术科学教育部重点实验室，天津 $%%%!） # ）（天津新华职工大学，天津 $%%%’% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%% ( !# #%%) $ * 采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积（ ）大面积平行板电极间真空 +,-./01+2 电势差分布3 计算结果表明：随平行板电极尺寸增加和激发频率提高，电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀 分布的重要因素3 在尺寸为!4# 5 6 % 4) 5 的大面积平行板电极上应用’% 4*) 和*% 7,8 两种激发频率，通过功率馈 入点数量和位置优化，计算获得非均匀性分别为 和 的真空电势差分布 这些数值计算结果为大面积 9 # 4: ; 9 : 4: ; 3 平行板电极在+,-./01+2 中应用提供了重要的理论指导3 关键词：二维准平面电路模型，甚高频等离子体增强化学气相沉积，电势驻波效应 ： ， !## :#$:, :#’%2 +,- 技术应用于大面积平行板电极/01+2 反 !4 引 言 应室，实现大面积薄膜均匀沉积是一个技术难题3 在 !$ 4:* 7,8 射频激发的大面积平行板电极/01+2 反 ［— ］ 等离子体增强化学气相沉积（ ）是被广泛 应室中，影响薄膜均匀沉积的因素也有很多 !% ，比 /01+2 用于低温沉积高质量薄膜的一种很好方法3 标准 如基底与电极的非理想接触、不恰当的气流分布、等 !$ 4:* 7,8 射频激发的电容耦合平行板电极/01+2