电力电子器件1.1-1.2.pptVIP

Ic1=?1 IA + ICBO1 （1-1） Ic2=?2 IK + ICBO2 （1-2） IK=IA+IG （1-3） IA=Ic1+Ic2 （1-4） 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 晶体管的特性(?)是：在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通（门极触发）：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。 晶闸管导通后,门极将失去控制作用. 正反馈：iG→ib2↑→ic2(=ib1)↑→ic1↑ →iA ↑ ↑ ↑ 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 其他几种可能导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光直接照射硅片，即光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管。 只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段。 1.2.2 晶闸管的基本特性 1. 静态特性 总结前面介绍的工作原理，可以简单归纳晶闸管正常工作时的特性如下： 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通(开通条件)。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用(脉冲触发型)。 要使晶闸管关断，只能利用外加反向电压和外电路的作用使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 (关断条件)。 晶闸管的静态特性（伏安特性） 第I象限的是正向特性 第III象限的是反向特性 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 1.2.2 晶闸管的基本特性 1) 正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 导通期间，如果阳极电流降至IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。 晶闸管的伏安特性 1.2.2 晶闸管的基本特性 ﹥﹥ 2) 反向特性 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流流过。 当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。 晶闸管的伏安特性 1.2.2 晶闸管的基本特性 1.2.2 晶闸管的基本特性 2. 动态特性 图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形 1) 开通过程 由于晶闸管内部的正反馈过程需要时间，再加上外电路电感的限制，晶闸管受到触发后，其阳极电流的增长不可能是瞬时的。 延迟时间td： 0.5~1.5?s， 上升时间tr： 0.5~3?s。 开通时间 tgt=td+ tr 1.2.2 晶闸管的基本特性 阳极电流稳态值的10% 阳极电流稳态值的90% 2) 关断过程 反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间 正向阻断恢复时间tgr：要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间 关断时间tq：tq=trr+tgr 关断时间约几百微秒 1.2.2 晶闸管的基本特性 尖峰电压 反向恢复最大电流 在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通。实际应用中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。 1.2.3 晶闸管的主要参数 1. 电压定额 ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。 —— 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 ——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。 从减小损耗和发热情况出发，ＵＴM越小越好，一般在1.5v以下 1)?断态重复峰值电压UDRM 2)?反向重复峰值电压URRM 3)?通态（峰值）电压UTM 1.2.3 晶闸管的主要参数 1. 电压定额 通常取晶闸