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第3章 第3章 存储器系统 教学重点 教学要求 1. 了解各类半导体存储器的应用特点。 2. 熟悉半导体存储器芯片的结构。 3. 熟悉SRAM和EPROM的引脚功能。 4. 掌握存储芯片与CPU连接的方法,特别是片选端的处理。译码电路设计是难点重点。 3.1 半导体存储器概述 3.1.1 半导体存储器的分类 半导体存储器的分类 读写存储器RAM 只读存储器ROM 掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改。 PROM:允许一次编程,此后不可更改。 EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;并允许用户多次擦除和编程。 EEPROM(E2PROM):采用加电方法在线进行擦除和编程,也可多次擦写 Flash Memory(闪存):能够快速擦写的EEPROM,但只能按块(Block)擦除 3.1.2 半导体存储器芯片的结构 3.1.2 半导体存储器芯片的结构 ①存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址,可存储1位(位片结构)或多位(字片结构)二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关: 芯片的存储容量 =存储单元数×存储单元的位数=2M×N M:芯片的地址线根数 N:芯片的数据线根数 ②地址译码电路 ③片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* CS(Chip Select) 有效时,可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时,芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时,数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 3.2.1 静态RAM SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵: 每个存储单元存放多位(4、8、16等) 每个存储单元具有一个地址 SRAM芯片2114 SRAM 2114的功能 SRAM芯片6264 SRAM 6264的功能 3.3.1 EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口,用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器(烧写器)编程 编程后,应该贴上不透光封条 出厂未编程前,每个基本存储单元都是信息 “1” 编程就是将某些单元写入信息0 EPROM芯片2716 EPROM 2716的功能 EPROM芯片2764 EPROM 2764的功能 Memory system designers use commercially available RAM chips to design larger memory systems:the major steps in such memory designs are the following: 1、Based on speed and cost parameters,determining the types of memory ICs(static or dynamic) to be used in the design. 2、Selecting an available IC of the type selected above,based on access time requirements and other physical parameters,such as the restriction on the number of chips that can be used and the power requirements .It is generally better to select an IC with the largest capacity in order to reduce the number of ICs the system. 3、Determining the number of ICs needed- N=(total memory capacity)/(chip capacity). 4、Arranging the above N ICs in a P*Q matrix,where Q=(number of bits per word in memory system)/(number of bits per word in the ICs) and P=N/Q. 5、Designing the decoding circuitry to selcet a unique word corresponding to each address. We have not addressed the issue of memory control in this design procedur
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