在si衬底上化学汽相沉积大面积优质3C-SiC薄膜★.pdfVIP

!QQ 一一 一一一． 一墨查墨全璺里堡基丛茔盔金垫造塞基 在Si衬底上化学汽相沉积大面积优质 3C—SiC薄膜★ 陶长远 刘达清 【南开大学物理系天津300071) 陶鹃 (中国空间技术研究院503所北京100081) 文摘：在国内，本文首次报道在si衬底上，采用化学汽相沉积技术生长出直径达中 狭窄尖锐，二者充分表明了晶体结构优异，缎份单一．文章还指出适当稠整生长条件可以 基本消除界面处的晶格畸变． 主题词：化学汽相沉积．Si村底3C．SiC单晶薄膜 1、引言 SiC之所以被推崇为制备工作在极端条件下微电子器件的理想材料是匿为．睡：i)繁 带亮度宽：2)电子迁移奎和饱和漂移速度高；3)临界击穿电场强度大：4)热稳定性、 化学稳定性以及抗辐射能力高．最近研究表明它除了可以作为硅上外延金刚石薄膜的缓冲 层外由于不仅其品『本结构．对称类型与GaN相同，而且在至今所有常用衬底中笆的晶杞 常数和热膨胀系数与CaN最为糨近，加之上引几点突出陀能．还可能成为最理想的讨辰材 料．这使得人们对SiC的研究热情更加高涨，成为当前最热门的新型半导沭材荆之…．阻 由于难干获驭单晶SiC而妨碍了材料的广泛应用．因而寻：蠢理坦的生长途径足人们最为艾 心的问题． 在170余种同质异形体中，3C—SiC最为稳定，同si一样均属立方晶系，而且同为闪 锌矿结构．加之能够在低干硅熔点的温度下外延生长，这地以硅为衬底实现低缺陷密度的 ★863高技术项目资助课题 J随鲤显幽盏幽生鲤雌一． 地 异质外延生长成为可能，采用这条技术途径还可以把SiC的潜在优势与成熟的Si工艺技术 充分结合起来，且可能利用优质大直径Si衬底生长大面积的SiC薄膜，基于这些原因，以 Si为衬底外延3C．SiC的研究最早开展起来，特别是日本京郡大学的松波等人发现在碳化 3e．s汇薄膜后的十多‘?闸迅速 的Si表面上采用化学汽相沉积【CV—D)能耍苌硕游j}瑁a 分研究结果．在国内首次长出直径为中中30ram的大面积的优质3C．SiC单晶薄膜． 2、实验 1)薄膜生长： ， 本研究采用的CVD生长装置如图一所示，卧式水冷石英管内径为050mm，采用石墨 高频感应方式加热．源气为用H2稀释的SiH一和A．稀释的CH4，其纯度均高于9999％． 载气为经钯合金H2纯化器纯化的高纯1-12，其纯度高于999999％．气体流量用质量流量 计控制． 出水 f akH2 SiH4 酉J CVD生长装置原理圉 铵和去离子水混合溶液漂洗，烘干后即装入石英反应管中待用．整个生长过程如图2所示， 大致可以分为三个阶段： (1)净化： ★室温下，把反应系统柚至高真空，然后通H2冲洗，并按此步骤反复数次． !!! 一——————J睦壁刨啦泌塑睑巡监 毫升，分)数分钟，以得到经轻微腐蚀后的新硅面· (2)碳化 左右以碳化si衬底表面，时间由要求碳化程度而定· (3)生长 碳化完毕后关闭cm，将温度降至生长温度后再通人适当流量比的H2·SIH4，cH4混 合气体进行外延生长，生长温度在1200。C以上．生长速率大约为3微米份· 毯赠 时间 圈2典型的CVD生长3C·SiC流程图 2)检测 采用x射线衍射谱、室温富里叶变换红外(FTIR)透射谱等技术对样品的晶体结构、 组成进行分析． 3、结果与讨论