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第27卷第5期 红外与毫米波学报 V01．27，No．5
2008年10月 Millim．肠Pes October，2008
J．Infrared
文章编号：1001—9014(2008)05—0333一04
毫米波单片有源混频器的研制
严蔟蔟， 洪 伟， 陈继新
(东南大学信息科学与工程学院毫米波国家重点实验室，江苏南京210096)
GaAs
摘要：采用OMMIC0．18ttm pHEMT工艺，研制了毫米波单片有源混频器．该混频器选用单栅极单端FET混频
大于30dB．
关键词：混频器；砷化镓；毫米波；变频增益；隔离度
中图分类号：TN773．4文献标识码：A
DESIGNANDIMPLEMENTATIONoFAMILLIMETER
WAVEACTIVEMIXERMMIC
YAN CHEN
Pin—Pin，HONG Ji—Xin
Wei，
ofMillimeter ofInformationScienceand
(State Waves，School
KeyLaboratory Engineering，
Southeast
University，Nanjing210096，China)
Abstract：AmillimeterwaveactivemixerMMICWas and OMMIC GaAs
designed
implementedbyusing 0．18p．m pHEMT
FETstructureWas inmixer filterWas to
process．Single-gatesingle-ended employed design．Alow-pass designedimprove
theLO—IFisolationandRF．IFisolation．Thesizeis 0．95ram×1．85ram．Themeasuredconversionis0．6dB
chip only gain
at and
39GHzRF 3GHz IF measuredLO-IFisolationisabove55dBandRF．IFisolationis
frequency outputfrequency．The
above
30dB．
Keywords：mixer；GaAs；millimeterwave；conversiongain；isolation
的非线性元件是栅一源电容、跨导和漏极电导．根据
引言
本振信号加载端口的不同，FET混频器可分为栅极
毫米波频段能提供很宽的通信频带，因而可以 混频器、漏极混频器和源极混频器．栅极混频器中的
实现高速率数据传输．采用毫米波频段的宽带高速 时变跨导起着频率转换的作用，当其栅极偏置在夹
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