30V双扩散MOS器件及8V双扩散MOS器件 专利号.DOC

1、30V双扩散MOS器件及18V双扩散MOS器件 专利号：200910199437.1 本发明公开了30V双扩散MOS器件及18V双扩散MOS器件,通过缩小漏区右边界到有源区右边界的距离,并缩小漏端接触孔的右边界到漏区的右边界的距离,减小了源漏间距,从而在不影响器件性能的基础上得到更小的器件尺寸和更高的可集成度。 2、4,7-二氮杂吲哚及其5位取代物的制备方法 专利号：201010137164 本发明公开了一种4,7-二氮杂吲哚及其5位取代物的制备方法,其特征在于,包括步骤:将分子式为的化合物与叔丁醇钾反应,得到5-R-4,7-二氮杂吲哚,式中,R为Br、Cl、H中的一种。本方法改进了蛋白激酶抑制剂药物的一个重要的中间体的制备方法,所用原料为工业化的原料,大大降低了该产品所需的成本,能大幅度降低现有药物生产成本。反应时无需高温及强酸性等高危险操作,能大幅度减少环境污染。本工艺设计的路线各个步骤收率稳定,而且较高。 3、5’-脱氧-2’,3’-二乙酰-5-氟胞苷的制备方法 专利号：200910045416.4 本发明属于5-脱氧-2,3-二乙酰-5-氟胞苷的制备方法技术领域。本发明所述的5-脱氧-2,3-二乙酰-5-氟胞苷的制备方法,是在5-氟胞嘧啶中加入硅烷化试剂和添加剂硫酸铵,于80-120℃反应3-5小时,蒸出部份溶剂;然后加入5-脱氧-1,2,3-三乙酰核糖;最后将料液降温