第11章 有源矩阵有机发光显示技术.ppt

第11章 有源矩阵有机发光显示技术 主讲人：王丽娟 长春工业大学 * * 2013年02月10日 平板显示技术基础，2013年，北京大学出版社 11.1 OLED的结构和发光方式 11.2 AMOLED面板的TFT技术 11.3 OLED的驱动原理 11.4 全彩色AMOLED显示 本章主要内容 11.1 OLED的结构和发光方式 衬底基板 OLED ITO透明阳极 半透明阴极 阴极 衬底基板 OLED ITO透明阳极 衬底基板 OLED 反射阳极 半透明阴极 正置型OLED的发光方式（a）底发射；（b）顶发射；（c）穿透型 OLED的结构正直型OLED、倒直型OLED和微腔结构。 正直型OLED是常用的器件结构，阳极在下面，上面蒸镀或旋涂等方法制备有机发光层，最上面是阴极的结构。 发光方式分为三种底发射型、顶发射型、穿透型 。 11.1 OLED的结构和发光方式 ITO透明阳极 OLED 衬底基板 阴极 电子 DBR 空穴注入层 ITO阳极 玻璃衬底 空穴 金属阴极（ 全反射层） 发光层 空穴注入层 微腔结构OLED 倒置型OLED结构 倒置型OLED，Inverted OLED，缩写为IOLED，是在基板上先制作阴极，在阴极金属上蒸镀有机薄膜，最后制作阳极导电薄膜的结构。 微腔结构OLED，在阳极和阴极间构成微型光学谐振腔，利用两电极间反射光的反复干涉效果，提高OLED发光的色纯度和发光强度的一种结构。 11.2 AMOLED面板的TFT技术 低温多晶硅 高温多晶硅 非晶氧化物 微晶硅 非晶硅 100 10 1 0 0 4 6 8 产线世代（代） TFT的载流子迁移率（cm2/Vs) 低温多晶硅，μ≈100cm2/Vs，△VTH0.3V 高温多晶硅，μ≈20cm2/Vs，△VTH0.3V 非晶氧化物，μ≈10cm2/Vs，△VTH0.3V 微晶硅，μ10cm2/Vs，△VTH0.3V 非晶硅，μ≈1cm2/Vs，△VTH≈3V 用于驱动OLED的有源矩阵TFT有多种，非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物和有机薄膜晶体管等 。 11.3 OLED的驱动原理 玻璃基板 阴极 阳极 发光层 阴极 列信号 阳极 单色OLED 行信号 无源矩阵驱动方式 PMOLED在阴极和阳极线交叉处是OLED发光的像素区。在ITO阳极加上正电压，金属阴极上加负电压，交叉点像素就会有电流通过发光。 缺点：非选通像素上的等效电容和电极间的漏电，会引起脉冲信号在电极间的串扰，导致交叉串扰现象，显示图像失真。 11.3 OLED的驱动原理 有源矩阵驱动方式 玻璃基板 TFT 像素电极 电子传输层 发光层 空穴传输层 有机层 阴极 封装层 或盖板 AMOLED是采用薄膜晶体管驱动的有机发光显示器，优点是：1）同一画面的各个像素是同时发光，发光亮度高、寿命长；2）各个像素独立控制，驱动电压也降低，耗电少，适合大面积显示；3）避免交叉串扰。 11.3 OLED的驱动原理 2T1C 驱动的AMOLED T1 T2 OLED 驱动模块 玻璃基板 封装盖板 S D T2 T1 信号线 电源线 扫描线 Cs G 2T1C驱动电路包含两个TFT和一个存储电容，是最简单的电压控制型驱动电路。 T1为扫描寻址的开关器件； T2是提供固定电流的驱动器件； Cs存储电容起到持续供电保证各像素连续发光。 11.3 OLED的驱动原理 2T1C 驱动的AMOLED平面布局 扫描线 信号线 电源线 上层：电源线和存储电容的一极 下层：T2的栅极及存储电容的另一极 过孔 T1 Cs T2 T1 T2 Cs 像素电极 ITO及 OLED区 11.3 OLED的驱动原理 2T1C 驱动的AMOLED阵列基板的实物照片 中科院长春应用化学研究所 *