第五节_硅外延生长.pptVIP

* SIMOX材料： 最新趋势是采用较小的氧注入剂量 显著改善顶部硅层的质量 降低SIMOX材料的成本 低注入剂量(~ 4?1017/cm2)的埋氧厚度薄：800～1000? 退火温度高于1300℃，制备大面积(?300mm)SIMOX材料困难 * Smart Cut智能切割兼具有SDB和SIMOX的特点，工艺流程包括热氧化、注氢、低温键合、热处理剥离、精密抛光等。这种方法制得的硅片顶部硅膜的均匀性相当好，单片厚度偏差和片间偏差可控制在10nm以内，另外生产成本也可降低，因为不需要昂贵的专用大束流离子注入机和长时间的高温退火，所以这是一种极有前途的SOI制备技术。特别适用于制备薄硅膜、厚埋氧层材料。 3.Smart Cut * * Smart-Cut技术是一种智能剥离技术 将离子注入技术和硅片键合技术结合在一起 解决了键合SOI中硅膜减薄问题，可以获得均匀性很好的顶层硅膜 硅膜质量接近体硅。 剥离后的硅片可以作为下次键合的衬底，降低成本 * H2 H2 * Smart Cut * Smart Cut * Smart Cut * ELTRAN技术(Epoxy Layer Transfer)外延层转移，独特之处在于在多孔硅表面上可生长平整的外延层，并能以合理的速率将多孔硅区域彻底刻蚀掉 ，该技术保留了外延层所具有的原子平整性，在晶体形成过程中也不产生颗粒堆积或凹坑，因此具有比其它SOI技术更为优越的性能。 4.ELTRAN * * ELTRAN * ELTRAN * * 以上4种制备SOI材料的方法各有所长，用户可以根据不同的材料要求，选择不同的制备方法。 SDB法通常用于制取厚埋氧层材料，其硅层的厚度取决于硅片减薄技术的进展。早期该技术只能制备厚硅层材料，后来随着BE（Back Etch） Bonding技术和CMP（Chemical Mechanical Polishing）技术的发展，也可以用于制备极薄的顶层硅（0.1μm ）。 而SIMOX法由于氧注入条件的限制，只能制取薄硅层（0.1～0.4μm）和薄埋氧层（0.1～0.4μm）材料。要获得厚的硅层，必须再进行外延，即采用ESIMOX法。 而Smart Cut法由于采用了键合工艺，则最适用于制备薄硅层（0.1～1μm）和厚埋氧层材料。 ELTRAN法的适用范围最宽，可根据用户要求，提供从几十纳米到几十微米的硅层和埋氧层。 * 作业五: 什么是同质外延,异质外延,直接外延,间接外延? 什么是自掺杂?外掺杂?抑制自掺杂的途径有哪些? 什么是SOS,SOI技术 SOI材料的生长方法有哪些?每种方法是如何实现的? * * 双栅SOI,降低短沟道效应，适合小尺寸器件;两个栅共同控制沟道呀 ;可以有效抑止漏端电力线向沟道区中穿透 * * 5－4 硅外延层的缺陷 分类： 一：表面缺陷，也叫宏观缺陷 如云雾，划道，亮点，塌边，角锥，滑移线等 二：内部结构缺陷，也叫微观缺陷 如层错，位错 * 5－4－1外延片的表面缺陷 云雾状表面 外延片表面呈乳白色条纹，在光亮处肉眼可以看到。 一般由于氢气纯度低，含水过多，或气相抛光浓度过大，生长温度太低等引起的。 角锥体：又称三角锥或乳突。形状像沙丘，用肉眼可以看到。 * 雾状表面缺陷 ①雾圈 ②白雾 ③残迹 ④花雾 ①雾圈 ②白雾 ③残迹 ④花雾 * 角锥体 * 亮点：外形为乌黑发亮的小圆点 塌边：又叫取向平面，它是外延生长后在片子边缘部分比中间部分低形成一圈或一部分宽1～2mm左右的斜平面。 形成原因：衬底加工时造成片边磨损偏离衬底片晶向。 * 划痕：由机械损伤引起 星形线（滑移线）：  * 5－4－2外延层的内部缺陷 层错 层错形貌分为单线，开口，正三角形，套叠三角形和其他组态 位错 外延层中的位错主要是由于原衬底位错延伸引入的 另外可能是由于掺杂和异质外延时，由于异类原子半径的差异或两种材料晶格参数差异引入内应力。 例如在Si中掺B,P,它们的半径比Si小，它们占据硅的位置时，Si的点阵会发生收缩；当掺入AL,Sb等比Si半径大的原子时，Si点阵会发生扩张。也就是产生晶格点阵的失配。 * 晶格点阵的失配会使外延片呈现弯曲。当弯曲程度超过弹性范围，为缓和内应力就会出现位错，称之为失配位错。 为了消除应力，采用应力补偿法，即在外延或扩散时，同时引入两种杂质，使它们产生的应变正好相反。当两种杂质原子掺入的比例适当时，可以使应力相互得到补偿，减少或避免晶格畸变。从而消除失配位错的产生。这种方法称为“