第一章、绪论 - 国立交通大学机构典藏.pdf

第一章、緒論 1.1研究背景 對於電晶體而言，閘極氧化層的好壞是很重要的關鍵因此在半導, 體元件製程中，矽晶片表面的金屬污染所造成的良率和元件可靠度下 降的後果， 也一直是半導體製程中令人關心的問題。因此每一個半導 體廠莫不戰戰兢兢地使用化學用品，氣體，製程相關材料及潔淨之無 塵室。在常見的污染物有微塵粒，金屬，及有機物，而其中又以金屬 對元件之電特性影響最大。在VLSl 製程中，若晶圓遭受到金屬雜質 的污染，則製作出來的元件的電氣特性將會惡化，如閘氧介電質崩潰 電壓、漏電流 …等電性惡化現象。 不同種類與程度的金屬雜質導致閘極氧化層崩潰與退化是明顯可見 的，鐵與鎳金屬雜質在高濃度的時候會使得薄氧化層的特性嚴重惡 化。鈣金屬雜質使得崩潰電荷的衰減並且使漏電流與電應力引發漏電 流的大量增加，另外銅金屬雜質會造成較多的中間能隙陷阱密度。而 鋅金屬雜質對於元件的平帶電壓有較大的影響。隨著積體電路技術進 入深次微米的時代，元件尺寸越作越小，製程之步驟也愈來愈複雜。 例如 MOSFET 元件中之閘極氧化層由原先之幾百埃降至四十埃(*)左 右，而薄氧化層在超大積體電路技術中一直是非常受重視的，氧化層 的可靠性會使產品良率降低，而直接影響的則是整個生產成本 ，影響 1 到整個產品之競爭力，故製作高品質的超薄閘極氧化層已成為現今研 究的重點。然而，除了電漿充電效應對薄氧化層的傷害外，金屬微量 污染物對薄氧化層可靠性的影響亦不可忽視。深次微米製程使得晶圓 遭受到更多的製程步驟，隨之而來的可能造成 MOSFET 元件受到更多 金屬微量污染物所造成內在的缺陷，因而使得元件的特性退化，造成 yield limiting 。一些不利的影響是可以發現的，例如互補式金氧半元件 的 Gate Oxide Integrity ，動態隨機處理記憶體的Refresh Time的性能， CCD的 Dark Current ，雙載子電晶體與二極體的特性退化。因此每一 個半導體廠莫不戰戰兢兢地使用化學用品，氣體，製程相關材料及潔 淨之無塵室。在常見的污染物有微塵粒，金屬，及有機物，而其中以 金屬對元件之電特性影響最大。在ULSl 製程中，若晶圓遭受到金屬 雜質的污染，則製作出來的元件的電氣特性將會惡化退化，如閘氧介 電質崩潰電壓、漏電流及少數載子復合活期。一般金屬雜質的污染源， 主要是來自洗淨材料的化學品，純水及氣體的金屬雜質和製程所引發 的，如離子植入，會造成重金屬的污染。因離子植入之反應腔為不銹 鋼材質，當離子植入時因離子撞擊內壁而造成重金屬的污染。而在部 分LPCVD爐管所使用之保溫棉因含金屬成份，若未有效管理或控制， 透過工廠回風途徑，將嚴重造成嚴重污染。很明顯地，越薄之氧化層 2 厚度，其容忍微量金屬之程度就越低，也就是越敏感。因此如何控制 金屬污染，尤其是超薄化層之元件已成為刻不容緩的課題[1,2] 。 1.2研究動機與目的 LPCVD 爐管保溫材添加許多鈣金屬，其污染可能所引發的問題 在金屬氧化層- - 半導體(MOS)元件上非常的多，但是關於這方面的相 關文獻卻非常的少。部份文獻指出，一旦鈣金屬污染時 ,經過高溫爐管 後將造成晶圓表面 roughness ，影響GOI 特性。若保溫材所摻雜之鈣 金屬未妥善管理，不只造成附近環境充滿了含鈣金屬微粒子，更容易 透過回風運作或 carrier 進入化學清洗槽形成交互污染問題可能導致 元件損壞，良率變低。根據金屬氧化層- - 半導體製程的實際流程， 當鈣金屬微粒子透過 carrier 進入化學清洗槽或回風機制進入氧化爐 管，殘留在晶片表面上的鈣金屬將於影響矽氧化過程，而其對元件的 影響也需要深入研究。 本論文主要只針對兩個部分。 第一、主要是假設氧化層爐管因鈣污染而影響矽表面氧化後之粗 糙度。 第二、當鈣金屬污染時，探討元件可能的影響且藉著電流電壓測- 量，擷取各元件基本參數，對照污染後元件電性會受到什麼樣的影響。 3 1.3論文架構 本論文主要