非晶矽薄膜于电阻式记忆体研究.pdf

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2017-08-16 发布于天津
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立交通大材料科工程系奈米科技士班士文非晶矽薄膜於阻式研究研究生子指教授宗教授中民一年十一月非晶矽薄膜於阻式研究研究生子指教授宗教授立交通大材料科工程系奈米科技士班士文中民一年十一月非晶矽薄膜於阻式研究生子指教授宗博士立交通大材料科工程系奈米科技士班摘要近年阻式因具有位元件小可提高密度低操作低耗能非破性取快速操作料存及重操作可靠度佳等力而被泛的研究本篇文中我出程匹配的元件利用安捷及性量分析元件其制特性的表作元件在高境下定性良好可以持超秒而不衰且高低阻比例可以到以上在多材料中表再加上及非晶矽和程相容

國立交通大學材料科學與工程學系奈米科技碩士班碩士論文非晶矽薄膜於電阻式記憶體研究 Study of -Si Thin Film in Resistive Random Access Memory Application 研究生：劉子瑄指導教授：許鉦宗教授中華民國一○○年十一月非晶矽薄膜於電阻式記憶體研究 Study of -Si Thin Film in Resistive Random Access Memory Application 研究生：劉子瑄 Student ：Tzu-Hsuan Liu 指導教授：許鉦宗教授 Advisor ：Prof. Jeng-Tzong Sheu 國立交通大學材料科學與工程學系奈米科技碩士班碩士論文 A Thesis Submitted to Graduate Program for Nanotechnology Department of Materials Science and Engineering College of Engineering National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master in Nanotechnology Nov. 2011 Hsinchu 300, Taiwan, Republic of China 中華民國一○○年十一月非晶矽薄膜於電阻式記憶體研究學生：劉子瑄指導教授：許鉦宗博士國立交通大學材料科學與工程學系奈米科技碩士班摘要近年來電阻式記憶體因具有單位元件體積小可提高密度( ) 、低操作電壓、低耗能、結構簡單、非破壞性讀取、快速操作、資料儲存時間長及重複操作可靠度佳等潛力而被廣泛的研究。本篇論文中，我們製備出與CMOS 製程匹配的Cu/-Si/p++Si 元件，利用安捷倫 4155 及 4156電性量測分析元件，針對其轉換機制與記憶體特性的表現作討 4 論。元件在高溫(85℃)環境下穩定性良好，可以維持超過 10秒而不衰減，且高 6 低電阻態比例可以達到 10 以上，在眾多材料中表現優異，再加上銅電極及非晶矽轉換層和 CMOS