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基本概念 1.自然换相点 2. 控制角α 3.移相范围 4.逆变 5.有源逆变 6.无源逆变 7.逆变角β 8.最小逆变角βmin 9.相位配合 10.同步电源电压 11.偏移电压 12.控制电压 13.串激调速 14.超同步 15. 低同步 16. 平波电抗器 17.换相过程 18.换相重叠角γ 1.迁移率 2. 本征半导体 3.载流子 4.载流子密度 5.多数载流子 6.少数载流子 7.受主杂质 8.施主杂质 9.能段 10.能带 11.导带 12.禁带 13.扩散运动 14.漂移运动 15.过剩载流子 16. 单边结 17.雪崩击穿 18.齐纳击穿 19.外延 20.肖特基势垒 21注入效率 22.安全工作区 23.电导调制 24.大注入效应 24.二次击穿 26.一次击穿 27.VDMOS 28.VVMOS 29.CMOS 30.输入电容 31.输出电容 32.反向转移电容 33.PT-IGBT 34.NPT-IGBT 35. PIN 36.阈值电压UGH 37.跨导gm 38.MCT 39.恢复系数 1.热阻Rθ 2. 热阻抗Z 3.缓冲电路 4.关断缓冲 5.开通缓冲 6.缓冲电路中K 7.幅度调制比 8.频率调制比 9.过调制 10.双零开关 11.零电压谐振 12. 零电流谐振 13. PWM 14. I LBMAX 15. I OBMAX 选择题 选择下列器件各属于哪类器件？ A 双极型 B MOS型 C 静电感应型 D 复合型 SCR GTO IGBT GTR SITH MOSFET SIT VDMOS MCT TRIAC 下列应用领域首选何种器件？ A SCR B GTR C MOSFET D SIT （1）高压直流输电 （2）300KW 变频调速 （3）1MZ 2KVA开关电源 除上述你选择的器件外，还有什么元件可选择？ 下面何种器件具有二次击穿问题？ （1）A GTR B SIT C MOSFET D SITH （2）A IGBT B GTO C SIT D VDMOS （3）A SITH B VDMOS C SCR D IGBT 4. GTO 的正向安全工作区的边界条件： A ①Icm ②Pcm ③BVceo B ①BVceo ②二次击穿功耗 ③Pcm ④Icm C ①Icm ②Pcm ③正向偏置最大二次击穿功耗 ④BVceo D ①Pcm ②BVceR ③正向偏置最大二次击穿功耗 ④Icm 5. 哪种器件具有电导调制作用 A SOT B VDMOS C GTR D SITH A IGBT B GTR C MOSFET D SIT A VDMOS B TRIAC C GTO D MOSFET 问答题 现代电力电子技术的标志是什么 电力电子技术与哪三个学科关系最密切 简述现代电力电子技术的发展方向 何谓宽脉调制技术?举出两个应用场合 1台50KW的电焊应选择何种器件为宜?如购不到还有哪类器件可供选择? 大功率GTR与小功率晶体管的主要差别有哪些? 何谓单极型和双极型器件?主要差别(特点)何在? 在GTR的静态特性上标出准饱和区,其含义是什么?为何GTR的工作点要选在准饱和区?通常应用何种办法保证其工作在准饱和区 何谓GTR的最大反向电压?他是否与GTR在具体电路中的连接方式有关?在使用中最好采用何种方式 何谓GTR的二次击穿?MOSFET和SIT是否存在二次击穿?为什么? 何谓GTR的正向安全工作区?以图示表示出安全工作区及GTR的工作跨间及管壳温升对他的影响?元件出厂对给出的标准曲线是在何种温度条件下? 何谓反向安全工作区?以图示之 何谓平面MOS,VDMOS与MOSFET?用示意图表示出 何谓VMOS与PMOS?他们的符号有何区别? 何谓电导调制作用?哪些器件具有电导调制作用? GTO的参数I2t代表何意义?有何作用? 何谓擎住效应?GTO的擎住效应中动态与静态都在何种情况下产生?简述原理与危害? GTR的理想开通与关断波形(画图表示之) 以示意图表示出IGBT的工作原理?符号?简易等效应电路与详细等效应电路图 IGBT的擎住效应产生的条件与原理? MOSFET在保存、运输、使用中的注意事项? 以示意图表示出SIT和SITH的工作原理 何谓热阻于热抗?他们