模拟电子技术第二章 常见电子元件.pptVIP

6、PN 结的电容效应 问题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 为什么半导体器件有最高工作频率？ 2.3二极管 二极管的结构和类型 二极管的伏安特性、主要参数 二极管电路的分析方法、应用 稳压二极管工作原理及应用 2.3.2二极管的伏安特性及电流方程 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 2、 动态分析 思 考 1、将3V和6V的两个稳压管串并联进行组合，可得到几种稳压值？ 2、判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压UAO。设二极管是理想二极管。 作业 习题5（c）（d） 习题6 习题9 交作业时间3月12日!!! 2.4三极管 一、三极管的结构及工作原理 二、三极管的特性曲线 三、三极管的主要参数 四、三极管的直流模型、低频小信号模型 晶体管的三个工作区域特点 1、测得某电路中工作在放大区的三极管的三个电极A、B、C的对地电位分别VA=-9V，VB=-6V，VC=-6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c？并说明此三极管是NPN管还是PNP管。 2、 某电路中工作在放大区的三极管三个电极A、B、C的电流如图所示，用万用表直流电流档测得IA=-2mA，IB=-0.04mA，IC=2.04mA，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c？并说明此三极管是NPN管还是PNP管。 2.4.3 三极管的主要电参数 讨论一 讨论二 某三极管的极限参数ICM=100mA，PCM=150mW，V(BR)CEO=30V，若它的工作电压VCE=10V，则工作电流Ic不得超过多大？若工作电流Ic=1mA，则工作电压的极限值应为多少？ 解： ，因此工作电流Ic不得超过15mA； ，因为V(BR)CEO=30V，所以工作电压的极限值为30V。 h参数的物理意义 (3) h参数的应用说明  动态分析 中低频信号分析 适合PNP 例：如图所示，a、b两种电路，三极管为小功率硅管，图（c）、(d)为T1、T2的输出特性曲线。 （1）请根据图 (c)和图 (d)求出T1和T2的β1和β2。 （2）设计并计算出Rb和Rc的值，使T1、T2工作在放大区Q1(6V,10mA)、Q2(-6V,-10mA)。 (3) 求出rbe1、rbe2并作出T1、T2的h参数等效电路。 （1）请根据图 (c)和图 (d)求出T1和T2的β1和β2 解：由图（c）、（d）可知： （2）设计并计算出Rb和Rc的值，使T1、T2工作在放大区Q1(6V,10mA)、Q2(-6V,-10mA)。 解：由（c）知：IBQ=10mA，ICQ=10mA，UCEQ=6V； 由（d）知：IBQ=-0.5mA，ICQ=-10mA，UCEQ=-6V； (1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 (2)漏-源电压对漏极电流的影响 1、输出特性曲线 耗尽型 MOS管  工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 例：测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。 练习 习题15、16 2.5.1 结型场效应管的结构及工作原理 1、结型场效应管的结构及符号 结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种类型，下图为N沟道和P沟道结型场效应管的结构示意图及符号。 结型场效应管结构示意及符号 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off）夹断电压 2、结型场效应管的工作原理 uDS=0时uGS对导电沟道的控制作用 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） （3）uGS对iD的控制作用 当uDS为一常量时，对应于不同的uGS，就有不同的iD，此时，可以通过改变uGS来控制iD的大小。可见，结型场效应管是一个电压控制器件。 结论：结型场效应管正常工作，应在栅-源之间加反偏电压，在漏源 之间加正向电压形成漏极电流。 g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS