(分析项目)试片准备方式收费标准.PPT

Southern Taiwan University Southern Taiwan University 將欲觀察的試片切成適當大小，約5 × 10mm 大小，並另外切相同大小的墊片數片，以作為保護與平衡之用。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) 首先將欲觀察試片用G1 膠先對貼，如圖(a)，再將墊片對稱貼於兩側， 如圖(b) 。膠膜盡量變薄，再置於加熱板上加熱，使其固定。之後將固定之試片於較大的墊片上，此即完成黏貼試片第一面，如圖(c)。 將墊片背面黏於手指上，將試片組在研磨盤上，利用砂紙由粗至細研磨，目 的在將對貼的試片界面磨細，並拋光 ， 使表面平滑，此即完成第一面之研磨。 將試片取下，將光滑面用熱熔膠貼於乾淨玻璃上，熱熔膠的黏貼，亦需經過加熱加壓過程。 利用相同的研磨方法，由粗至細研磨，此即為第二面之研磨，應磨到透光，約呈現琥珀色透光度並加以拋光，如圖(d)。此時試片厚度約為3~10μm ，如圖(e) 。 利用外徑3mm 、內徑2mm 的銅環，利用環氧樹脂黏貼於試片上，如圖(e)。 待其銅環上之環氧樹脂乾後，將試片泡於乾淨的丙酮中，使熱熔膠熔掉，約三十分鐘到一小時，試片會與玻璃分開。 取出試片後，利用離子束研磨機修薄試片。此離子剪薄機離子束與試片的角度可由4~10 度，離子束的能量約為3~6keV ，修到試片介面處有破裂為止，此時試片才有薄區。如圖一(f)。 TEM試片的準備 * 圖二十二、傳統離子研磨法流程圖 2. 聚焦離子束顯微切割儀電鏡試片製備法： (a)將適當大小，約1×2.5mm 之試片，先以機械研磨方式將試片研磨並拋光至 50~60μm厚度。以AB 膠固定於半圓形之銅環上。 (b)將固定於銅環上之試片放入聚焦離子束顯微切割儀內，定義出欲觀察之區域，而後鍍上保護層Pt (c)利用聚焦離子束在欲觀察區域樣品兩旁，將不必要之區域切割掉。直到研磨剩下中間欲觀察區域至厚度約100nm左右。 TEM試片的準備 * 圖二十三、聚焦離子束顯微切割儀 示意圖 3. 粉末、纖維之TEM試片製備法： 將粉末或是纖維溶於酒精。 經過超音波震盪器作充分攪拌。 利用滴管將混和溶液滴在有碳膜之銅環上。 將試片置於真空抽氣箱內等其乾燥後，即可作TEM 分析。 TEM試片的準備 * * TEM的應用 在一些TEM裡有幾種觀測模式可讓使用者選擇，圖顯示的是常用的三種觀察模式的電子束在試片與透鏡間的穿透情形 * 圖二十四、 TEM機台提供的操作模式的電子路徑示意圖 TEM的應用 收斂電子束繞射(Convergent Beam Electron Diffraction，CBED) 在一般的TEM mode中，電子束平行射入試片，但在CBD mode中，電子束以較大的角口徑射入並在試片上聚焦。之後在背焦面擷取放大的繞射影像。TEM mode所拍攝的繞射圖形是點狀的，但CBED拍攝的繞射圖形則是呈現一圓盤狀 * 圖二十六、 TEM mode所拍攝的繞射影像 CBD mode拍攝的繞射影像 圖二十五、電子束入射角度不同，形成不同之CBED 圖形 TEM的應用 微區電子束繞射(Nano-beam Electron Diffraction, NBD) NBD電子束運行路徑的情形，跟CBED不一樣的是，NBD是以非常小的角半徑射入試片中，因此藉著這樣的特性可以進行nm級的化學與晶體結構分析 * 圖二十七、 NBD影像中繞射點與晶格面的對應關係 Interface (介面組織)： 圖二十八、 HfOx/Si 結構之橫截面高分辨TEM 顯微影像示意圖 TEM觀察到的現象 * 圖二十九、在氮化鎵和氧化鋁基板底層上n-ZnO/p-GaN異質的橫截面明視野像?TEM圖像，且在選取區域電子衍射圖案從Al2O3層，界面層和鋅層 TEM觀察到的現象 * 圖三十、GaN磊晶層成長於(a) PSS與(b) NSS基板之TEM剖面圖。 Analysis?of?defects?observed(缺陷觀察分析)： TEM觀察到的現象 * TEM觀察到的現象 * 圖三十一、 GaN藍光LED 介面圖 Crystal structure (晶體結構)： 圖三十二、在HRTEM的[110]Si，[1120]SiC，[0001]?Si3N4 和[112]Si 可以解析 TEM觀察到的現象 * 圖三十三、(a)反射層Ag/Ta/ZnS-SiO2 結構之TEM高倍顯微影像；(b)Ta 膜層對應之EDS光譜 Chemical composition(化學成分)： TEM觀察到的現象 * 圖4-19 SnO2/TiO2核殼奈米管，奈米管長度約1 um。 圖三十四、SnO2/TiO2核殼奈米管，奈米管長度約1 um。 Nano-structure(奈米結構分析)： TE