_光电检测技术基础.PPT

* * 外部的：如外部建筑物影响GPS通讯、太阳黑子爆发影响短波通讯、汽车路过影响收音机 加连连看？ * (2) 光伏效应：半导体P-N结在吸收具有足够能量的入射光子后，产生电子-空穴对，在P-N结电场作用下，两者以相反的方向流过结区，从而在外电路产生光电流。（丹倍效应Dember） * 光电池 光电二极管 光电三极管 (3) 光电导效应:半导体材料在没有光照下，具有一定的电阻，在接收入射光辐射能时，半导体释放出更多的载流子，表现为电导率增加(电阻值下降)。 * 光敏电阻 光敏电阻 (4)光磁电效应：半导体置于磁场中．用激光辐射线垂直照射其表面，当光子能量足够大时，在表面层内激发出光生载流子，在表面层和体内形成载流子的浓度梯度。于是光生载流子就向体内扩散，在扩散的过程中，由于磁场产生的洛伦兹力的作用，电子空穴对（载流子）偏向两端，产生电荷积累，形成电位差。这就是光磁电效应。 * (5)热电效应（pyroelectric effect）：探测器接收光辐射，引起温度升高，从而使探测器电阻或电容发生变化、或者表面电荷发生变化，或产生电动势 。 * 热释电探测器 热电偶（thermocouple） * 问题：如何选择探测器？ 下面的曲线又代表啥意思？ * 对于光辐射探测器的应用，人们较关注的性能是： ① 探测器的输出信号值定量地表示多大的光辐射度量，即探测器的响应度大小。 ② 对某种探测器，需要多大的辐射度量才能使探测器产生可区别于噪声的信号量，即与噪声相当的辐射功率大小。（信噪比） ③ 探测器的光谱响应范围，响应速度，线性动态范围等。与光辐射测量有关的还有表面响应度的均匀性、视场角响应特性、偏振响应特性等。 响应度定义为单位辐射度量产生的电信号量，记作R，电信号可以是电流，称为电流响应度；也可以是电压，称为电压响应度。对应不同辐射度量的响应度用下标来表示 。 * 2.3.1 响应度(Responsivity ) 响应度 （ Responsivity ） * 辐射度量测量中，测不同的辐射度量，应当用不同的响应度。 对辐射通量的电流响应度(AW-1) 对辐照度的电流响应度(AW-1m2) 对辐亮度的电流响应度(AW-1m2Sr) * 探测器的响应度一般是波长的函数。与上面定义的积分响应度对应的光谱响应度为 积分响应度和光谱响应度的关系为 可以看到：积分响应度不仅与探测器的光谱响应度有关，也与入射辐射的光谱特性有关，因而，说明积分响应度时通常要求指出测量所用的光源特性。 辐射通量 辐照度 辐亮度 * 利用公式推导可知，探测器的辐射通量光谱电流响应度为: 量子效率:输出信号电子数与接收到的光子数之比。 理想情况下，一个入射光子激发一个电子-空穴对，因此量子效率应为常数，则此时探测器光频响应为与波长成正比，为一条直线。 量子效率 普朗克常数 电子电荷 但是…. 实际上 单位时间的电荷 单位时间的光能 * * 截止 截止 理论响应 实际响应 原因是什么？ * 利用公式推导可知，探测器的辐射通量光谱电流响应度为: 对于光电探测器，由于受到材料能带之间的间隙——禁带宽度Eg的限制，响应波长具有长波限，最大响应波长为 式中，EA是光电子逸出探测器表面所需的表面势垒。 其它影响因素：探测器表面的镜面发射损失、探测器表面的电子陷阱，探测器材料的吸收，电子在扩散中与空穴复合。 * 表2-5 常见半导体及掺杂半导体的能隙Eg及最大响应波长?max 材料 Eg (eV) ?max (?m) 材料 Eg (eV) ?max (?m) InSb 0.22 5.5 Ge?Hg 0.09 13.8 PbS 0.42 3.0 Ge?Cu 0.041 30.2 Ge 0.67 1.9 Ge?Cd 0.06 20.7 Si 1/12 1.1 Si?As 0.0537 23.1 CdSe 1.8 0.69 Si?Bi 0.0706 16.3 CdS 2.4 0.52 Si?P 0.045 27.6 PbSe 0.23 5.4 Si?In 0.165 7.5 Si?Mg 0.087 14.3 * 理想光谱响应 实际光谱响应 功率探测器 需要波长标定 优点：功率探测器 不需要波长标定 缺点：频率响应差 探测器本身是阻抗元件，有电阻和电容 2.3.2 噪声及其评价参数 * 为什么要研究噪声？ 任何虚假的和不需要的信号称为噪声。 噪声总是伴随着测量信号存在 测量过程是一个去除噪声、复原真实信号的过程。 噪声的分类及性质 外部干扰噪声:人为干扰噪声的和自然干扰噪声。 人为干扰：电子设备的干扰噪声。如焦距测量仪在日光灯下，人的走动对干涉仪的光程影响。 自然干扰：雷