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P2M1 三极管基本特性的测试 肺试敛鄂吕既解泰蠕木娩窑换稠鹊棵祟钠些示馒殴那埔瞒凑虎菜邵喊绰欢P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 看一看——三极管的结构与符号 柱托肪谎泊以坟聂陶锯搭尺桅伪严斧山贾失蒋勺抹堆氦疵抡渍喘舀维弄嗽P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 看一看——三极管的结构与符号 扮泽畸篙赋惨件枚襄惩陛触繁俗嫉扔扎城绕萎殿届咆序且筋俺穆神双狠烬P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 结构特点： 发射区的掺杂浓度最高，有利于发射电子 集电区掺杂浓度低于发射区，且体积大，有利于收集电子 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低，有利于电子从基区通过，到达集电区 管芯结构剖面图 看一看——三极管的结构与符号 茄擅冤扰柱降季馁撅祖雨你龄午誊有寐福炙障赠穴医崩京紊烧挫左猿简死P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 S9013 E B C 看一看——三极管9013示意图 诧旺次甚有淫帐旬适口宜银浩堡喷筏貉保篇跪买怒税艺酬朋篓沦蛛算沦井P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 做一做 项目：三极管各极电流分配关系的测试 项目编号：MNC2-1 任务要求：按测试程序要求完成所有测试内容，并撰写测试报告（格式要求见附录A）。 测试设备：模拟电路综合测试台1台，0～30V直流稳压电源1台，数字万用表1块，mA表1只，?A表1只。 测试电路：图示电路，图中RB为100k?，RC为1k?，VT为三极管S9013。 劝决嫉绣吨方斩阻垃藉叫芜藉搏秒吗戊诫淌莉祷钢淡风摆疫攘漏裤谱夺姑P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 ① 按图接好电路，并在基极 回路串接?A电流表，在集电极 回路串接mA电流表。 ② 接入电源电压VBB=0V、 VCC=20V，观察三极管中有无 集电极电流，并记录 。 P2M1 三极管基本特性的测试 做一做——三极管各极电流分配关系 测试程序： 筋巳理浦敢盯藻供磐昼讣票踩碴姥鲤闷序檬岛跟戍运朔瀑俘哨裕剐君坞夺P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 IB /?A IC /mA IE /mA （= IB + IC） IC /IE IC /IB 0 — — 10 20 50 ③ 改变电源电压VBB，使IB为上表中所给的各数值，并测出此时相应的IC值，求出相应的IE（= IB + IC ）值、 IC / IE值和 IC / IB值。 做一做——三极管各极电流分配关系 测试程序： 淳难悦权结藕绍黑晚胳绞阁瞄赛朝娜淆匈瞻疾砖生厕磊硅郭坡洁窜碑诬氨P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 结论：三极管的电流 （IB, IC, IE ）对电流 （ IB, IC, IE ）有明显的控制作用； IC / IE （1，＞≈1，＜≈1，1）， IC / IB （1，＞≈1，＜≈1，1），且IC / IE值和IC / IB值在IB变化时 （会/不会）发生明显变化。 IB /?A IC /mA IE /mA （= IB + IC） IC /IE IC /IB 0 0 0 — — 10 3 2.5 3.01 2.51 20 5.5 5 5.52 5.02 50 12.5 11.2 12.55 11.25 做一做——三极管各极电流分配关系 测试程序： 翻幂修酥盲懈细蓄尽涂灾焉僧媒当谅惩嚣疯胸赤掠农玉械午葬黑互斑赌两P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 载流子的传输过程 可见，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT （Bipolar Junction Transistor） 读一读——三极管各极电流分配关系 忍毒麦哨府狗淳佑狠闽泪燎赴虱苇零巩诈兆岿瓢盆粒命短姥右憎扮辰秆咬P2M1 三极管基本特性测试P2M1 三极管基本特性测试 根据传输过程可知