第二章 晶体形成.pptVIP

第二章 晶体的形成;一、晶体形成的方式;（3）由非晶质固相→结晶固相。 自然界的非晶质固相物质 例如 火山玻璃 →石英、长石的微晶（晶化或脱玻化）； 非晶质胶体矿物蛋白石→隐晶质玉燧 →石英晶体。 （4）由一种结晶固相→另一种结晶固相。 ①同质多象转变。如石墨(C) 金刚石(C). ②再结晶。如石灰岩(细粒方解石) 大理岩(粗粒方解石). ;二、晶核的形成(晶体的发生);三、晶体的成长;,(h)孔; 图表示质点往晶芽上堆积时，在其表面只有三种可能的堆 积位置1、2和3, 分别称为三面凹角、两面凹角和一般位置.每 种位置上因成键数目不同, 新质点就位后的稳定程度亦不同。 因此，最佳生长位置是三面凹角位，其次是两面凹角位, 最不容易生长的位置是平坦面。 这样，最理想的晶体生长方式就是:先在三面凹角上生长 成一行，以至于三面凹角消失，再在两面凹角处生长一个质 点，以形成三面凹角，再生长一行，重复下去。 ;层生长过程; 结论: 晶体在理想情况下生长时, 一旦有三面凹角存在, 质点则优先沿三面凹角位置生长一条行列;而当这一条行列 长满后, 就只有两面凹角了, 质点就只能在两面凹角处生长, 这时又会产生三面凹角位置, 然后将重复上述过程生长相 邻行列; 在长满一层面网后, 质点就只能在任意的一般位 置上生长,接着就会有两面凹角产生, 随后又会有三面凹角 的形成 , 再开始生长第二层面网。晶面 (最外层面网) 是 平行向外推移生长的。这就是晶体的 层生长理论 。; 层生长理论可以解释如下一些生长现象： （1）晶体的自限性— 晶体常生长为面平、棱直的几 何多面体形态。 （2）晶体断面上的环带构造— 各个环带代表了在晶 体成长的不同阶段中，由于介质性质或环境条件的某种变化, 在晶体内留下的当时晶形轮廓的痕迹。它表明晶体是平行向 外推移生长的。 （3）面角守恒定律— 由于晶面是向外平行推移生长 的，所以同种矿物不同晶体上对应晶面间的夹角不变。 （4）生长锥或沙钟构造— 晶体由小长大, 许多晶面 向外平行移动的轨迹形成以晶体中心为顶点的锥状体。;普通辉石的沙钟构造;吗笼异贩诺乃弧鞍骋肤惠郑窖粤元稻献奴赎曝涯擞嗡木惠谩怜邦忧衫责绞第二章 晶体形成第二章 晶体形成; 实际晶体生长也可能一层还没有完全长满，另一层又开始生长了，这叫阶梯状生长，最后可在晶面上留下生长层纹或生长阶梯。 阶梯状生长是属于层生长理论范畴的。 总之，层生长理论的中心思想是：晶体 生长过程是晶面层层外推的过程。 但是，层生长理论有一个缺陷：当将这一界面上的所有最佳生长位置都生长完后，如果晶体还要继续生长，就必须在这一平坦面上先生长一个质点，由此来提供最佳生长位置。这个先生长在平坦面上的质点就相当于一个二维核，形成这个二维核需要较大的过饱和度，但许多晶体在过饱和度很低的条件下也能生长，为了解决这一理论模型与实验的差异，弗兰克(Frank)于1949年提出了螺旋位错生长机制。 ;2．螺旋生长理论（BCF理论） 该模型认为晶面上存在 螺旋位错露头点可以作为 晶体生长的台阶源,可以对 平坦面的生长起着催化作用, 这种台阶源永不消失，因此 不需要形成二维核，这样便 成功地解释了晶体在很低过 饱和度下仍能生长这一实验 现象。;螺旋生长过程;淘基准蜒前慎春继夏林独兵框亥袖堂门仙玩险美保肇党雾嚣瞥疵牧片彪蓑第二章 晶体形成第二章 晶体形成; 有什么现象可证明螺旋生长理论？ ;这两个理论有什么联系与区别？ 联系：都是层层外推生长； 区别：生长新的一层的成核机理不同;四、晶面的发育; 晶面的重要性可由晶面本身的大 小, 在各个晶体上出现的频数，以及 是否平行解理面来衡量。 ;阐述：右图为一晶体格子构造的一个切面, AB，BC, CD为三个 晶面的迹线，相应面网的面网密度是AB＞CD＞BC，面网密度大 的晶面,面网间距大也, 对外的质点吸引力就小, 质点就不易生长上去， 如图所示。当晶体继续 生长，质点将优先堆积 1位置，其次是2，最后 是3位置。于是,晶面BC 将优先生长，CD次之， 而AB则落在最后。晶面 生长速度是：AB＜CD＜BC。; 结论：在一个晶体上，各晶面间相对的生长速度与它们 本身面网密度的大小成反比，即面网密度越大的晶面，其生 长速度越慢；反之则快。 保留下