MOSFET阈值电压.pptVIP

MOSFET 的阈电压;MOS 结构的阈电压 ; 上图中，; 上图中，?S 称为 表面势，即从硅表面处到硅体内平衡处的电势差，等于能带弯曲量除以 q 。; 3、实际 MOS 结构当 VG = VFB 时的能带图 当 时，可以使能带恢复为平带状态，这时 ?S = 0，硅表面呈电中性。VFB 称为 平带电压。COX 代表单位面积的栅氧化层电容， ，TOX 代表栅氧化层厚度。; 4、实际 MOS 结构当 VG = VT 时的能带图 要使表面发生强反型，应使表面处的 EF - EiS = q?FP ，这时能带总的弯曲量是 2q?FP ，表面势为 ?S = ?S,inv = 2?FP 。; 外加栅电压超过 VFB 的部分（VG -VFB）称为 有效栅电压。有效栅电压可分为两部分：降在氧化层上的 VOX 与降在硅表面附近的表面电势 ?S ，即 VG – VFB = VOX + ?S ; 上式中， QM 和 QS 分别代表金属一侧的电荷面密度和半导体一侧的电荷面密度，而 QS 又是耗尽层电荷QA 与反型层电荷 Qn 之和。;可得 MOS 结构的阈电压为; 1、阈电压一般表达式的导出; 以下推导 QA 的表达式。对于均匀掺杂的衬底，; 于是可得 N 沟道 MOSFET 的阈电压为;称为 N 型衬底的费米势。; 2、影响阈电压的因素;1015 cm-3 时， 约为 0.3 V 。; ?MS 与金属种类、半导体导电类型及掺杂浓度有关。对于Al ~ Si 系统，; d) 耗尽区电离杂质电荷面密度 QAD; e) 栅氧化层中的电荷面密度 QOX ; 对于 N 沟道 MOSFET，; 对于 P 沟道 MOSFET，; 4、离子注入对阈电压的调整 ;　　以 NI 代表离子注入所新增加的杂质浓度 ，N?A = NA + NI ；以 QI = -qNIR 代表离子注入后在耗尽区新增加的电离杂质电荷面密度，则经离子注入调整后的阈电压为