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光学辐射探测器
第三章 光辐射探测器;引言;;;;3.1 光辐射探测器的 理论基础;热能增大，导致吸收体的物理、机械性能变化，如：温度、体积、电阻、热电动势等，通过测量这些变化可确定光能量或光功率的大小，这类器件统称为光热探测器。;;探测器遵从的热平衡方程： ;器件随频率ω的交变温升 ;3.1.2 光电效应;I:;上式表明：禁带愈小，温度升高，
np就愈大，导电性愈好。;二、非平衡状态下的载流子 ;为长波限。 ;2.光生载流子;光生载流子的寿命;2.漂移;3.1.2.2 光电导效应;光电导 ;定义光电导增益 ;如果定义 ;半导体材料受阶跃光照： ;2.半导体材料受正弦型光照（即正弦调制光）:;光电导增益与带宽之积为一常数： ;一、热平衡状态下的PN结; 在室温下， ;以上两式表明：PN结两边少数载流子与多数载流子之间的关系。;扩散电流密度 ;则流过PN结的电流密度为;PN结电流方程为;在自建电场作用下，
光电流Iφ的方向与I0相同。;3.1.2.4 光电发射效应;金属材料的电子逸出功 W
—从费米能级至真空能级的能量差。 ;金属光电发射的量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区。;P型Si的光电子需克服的有效亲和势为;3.1.3 光探测器的噪声;、热噪声;三、产生-复合噪声;五、温度噪声;3.1.4 光探测器的性能参数;光谱特性决定于光电器件的材料。 ;三、等效噪声功率和探测率;探测率D表明探测器探测单位入射辐射功率时的信噪比，其值越大越好。;四、响应时间与频率特性;3.2 光热探测器;正温度系数 ; 当用斩波器调制入射光，使矩形光脉冲（周期小于ΔQ的平均寿命）作用到热电晶体表面的黑吸收层上，交变的ΔT使得晶体表面始终存在正比于入射光强的极化电荷。这种现象称为热释电效应。 ;二、基本电路;从而产生的电流为;，;应使器件工作于离居里温度稍远一点，热释电系数变化较平稳的区段。;3.3 光电探测器;、光敏电阻材料与电阻结构;光敏面作成蛇形， ;在弱光照下，如L100lx,γ＝1;2.光谱特性;3.频率特性;5.温度特性;6.前历效应;7.噪声;三、光敏电阻的偏置电路;为了使光敏电阻正常工作，必须正确选择Ub、RL。;此关系式对其它光电器件也适用（当负载线方程相同时）。;提高I或选择大的RG，可显著提高电压灵敏度。;光敏电阻上的电压为;4.恒功率偏置电路;电流控制
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