3.3 材料电导-a.pptVIP

材料的电导;任何一种物质，只要存在带电荷的自由粒子——载流子，就可以在电场下产生导电电流。 金属中： 自由电子 无机材料中： 电子（负电子/空穴）——电子型电导 离子（正、负离子/空位）——离子型电导;从哪些方面去研究材料的电导？;电子型电导;实验现象：置于磁场中的静止载流导体， 当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势差，这种现象称霍尔效应。 霍尔系数（又称霍尔常数）RH在磁场不太强时，霍尔电势差与激励电流和磁感应强度的乘积成正比，与霍尔片的厚度成反比，即 式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。 ; 霍尔系数的表达式 对于半导体材料： n型： p型：;霍尔效应的起源： 源于磁场中运动电荷所产生的洛仑兹力，导致载流子在磁场中产生洛仑兹偏转。该力所作用的方向即与电荷运动的方向垂直，也与磁场方向垂直。;思考：为什么离子电导材料没有霍尔效应;实际半导体晶格偏离理想情况;杂质和缺陷;杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏。;杂质能级位于禁带之中;杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。;缺陷;半导体中的浅能级杂质和缺陷;（2）替位式杂质：杂质占据格点的位置。 ;2、缺陷的类型;扣隆重寝录听澳丝孪甥射庆赦幼两寒度聚禄精支骇忆雇承返驻愤边亢恕腐3.3 材料电导-a3.3 材料电导-a;B;正电中心;P原子中这个多余的电子的运动半径远远大于 其余四个电子，所受到的束缚最小，极易摆脱 束缚成为自由电子。;导带电子;设施主杂质能级为ED;施 主 电 离 能：△ED=EC-ED ;对于Si、Ge掺P;施主杂质的电离能小， 在常温下基本上电离。;;（1）在 Si 中掺入 B;受主杂质：束缚在杂质能级上的空穴被激发到价带Ev成为价带空穴，该杂质电离后成为负电中心（负离子）。这种杂质称为受主杂质。;价带空穴;电离的结果：价带中的空穴数增加了， 这即是掺受主的意义所在。 ;Ec;Si、Ge中 Ⅲ 族杂质的电离能△EA（eV）;受主能级EA;杂质电离或杂质激发： 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）。 ;例：Si在室温下，本征载流子浓度为;掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为N型半导体。 称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。 ;掺受主的半导体的价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴（空穴数电子数），对应的半导体称为P型半导体。 空穴为多子，电子为少子。 ;;Ec;(3) ND≈NA;4、元素半导体中的缺陷;(2) 间隙;半导体中的深能级杂质;Ec;Ec;Ec;4、Au获得第三个电子;三、半导体中载流子的浓度;费米分布与玻尔兹曼分布;非简并半导体;在能量E～（E+dE）间的电子数dN为;对上式积分，可算得热平衡状态下非简并半导体的导带电 子浓度n0为;式中x＝(EC-EC)/(kT)。为求解上式，利用如下积分公式;电子浓度n0：;价带中的空穴浓度; 结 论;载流子浓度的乘积; 杂质半导体的载流子浓度;杂质能级上的电子和空穴;（1）施主能级上的电子浓度nD为;（3）电离施主浓度nD ＋为;?以上公式看出: EF的重要性： 杂质能级与费米能级的相对位置反映了电子\空穴占据杂质能级的情况;? 当ED-EFkT时， nD≈0，nD+ ≈ ND ，施主基本全部电离。 当ED-EFkT时， nD≈ND，施主杂质基本上没有电离。 思考：ED与EF重合时，电离与未电离的情况？ nD=2ND/3，nD+ =ND/3，施主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离。; 同理，EF-EA》kT时，受主杂质几乎全部电离了。 当EF远在EA之下时，受主杂质基本上没有电离。 ;费米能级EF; n型半导体的载流子浓度 考虑只含一种施主杂质的n型半导体：;n0=nD++p0;（1）低温弱电离区;?低温弱电离区费米能级与温度、杂质浓度以及掺入何种杂质原子有关。;在低温极限T→0K时，费米能级位于导带底和施主能级 间的中线处。 ; 理解EF随T变化： T变化 电离的杂质浓度改变 导带电子数发生变化 EF变化。;（2） 中间电离区 当温度升高，费米能级下降，但温度升高到EF=ED时，施主杂质有1/3