电容器和其应用.docVIP

一 薄膜电容器 在电子线路中的应用 在振荡电路,定时电路,延迟电路和滤波器中的应用。 在这几种电路中，要求电容器的电容量具有良好的温度稳定性，保证振荡频率，定时时间，延迟时间具有良好的温度稳定性，此时选用温度系数低的聚碳酸酯介质电容为首选，其温度系数可以接近于零。其次应选用的是复合膜电容器，在国家标准中以CH表示，如国产的CH11复合膜电容器的电容量可以从1nF—0.47uF，在市场上很容易找到，采用黄色树脂封装。如果在温度几乎不变的情况下电容器的选择无特殊的要求，但是一定不能选用第二类陶瓷介质（其电容量随电容器的温度变化太大）。 在积分电路中的应用 在积分电路中，积分时间常数是由积分电容器和电阻决定的，通常电阻有良好的温度特性，所以最关键的是要保证电容量的稳定，这一点与前面所述电路没有区别，与它们不同的是，积分电路具有保持功能，因而要电容器的绝缘电阻越高越好，同时要保持积分的准确性，电容器的介质吸收要低。所以，通常积分电路的积分电容器应选择介质吸收低的，然后考虑的是温度系数，绝缘电阻。综合考虑应首选介质吸收最低的聚苯乙丙烯介质电容器。 在采样-保持电路中的应用 在这种电路中的最关键的是电容器的绝缘电阻，应以选择绝缘电阻最高的介质为首选。如果频率较高，还应考虑损耗因数，通常在薄膜电容中，损耗因数均可以满足要求。 作为耦合电容器 既要将交流或脉冲信号“无衰减”的耦合到后级，同时又不能影响后级的直流工作点，因而需要电容器的绝缘电阻要高，通常的聚酯薄膜电容即可满足要求。 作为MOSFET开关与IGBT开关的缓冲电容器 通常的IGBT缓冲电路主要有三种形式 二 陶瓷介质电容器 1. I类陶瓷电容器 过去称高频陶瓷电容器，是指介质损耗小，绝缘电阻高，介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器。它特别适用于谐振回路，以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿。 2. II类陶瓷电容器 过去被称作低频陶瓷电容器，这类电容的比电容大，容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常用在电子设备中用于旁路，耦合或用于其他对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。 陶瓷电容的基本特性：具有较高甚至非常高的介电常数。I类超稳定介质用于高频，但电容量作的不可能很大，通常1206SMD封装的电容从0.5pF到0.01uF。而II类稳定介质对应的电容则可做到2.2uF或再高一些。II类的可用级陶瓷介质材料可达到100uF。 在开关电源中用到的电容有:陶瓷,MYLAR,金属,积层,电解等,而开关电源所设计的电路不谓乎以下几种:吸收回路,输出反馈回路,过压/过载/过温回路/风扇控制等,所以不同的电路,需要不同的电容,在吸收回路里我们常用陶瓷电容,其温度特性要好,输出反馈回路也会用到陶瓷电容,斜坡补偿需要金属电容,因其温度特性更好,延时电路常用MYLAR电容,输出滤波当然要用电解,输入对地间电容要用高压环氧树脂电容. 3.大容量陶瓷电容在旁路，高频整流滤波中的应用 3.1在旁路中的作用： 3．1.1旁路电容器的作用： 旁路电容器通常并联在电路单元（如一个IC）的电源两端，以尽可能降低电源在整个电路的工作频段或在电路可能受到影响的频段保持在可以容忍的某一低阻抗水平，以防止有电源传输的有害的耦合。对于较低的频段，稳压电源的电解电容器可以提供很低的阻抗，但是铝电解电容器超过50kHz以上就会开始或即将开始转变为感性而无法保持较高频段的低阻抗，而且从稳压电源的输出端到各个子电路通常由较远的距离，其寄生电感可能达到1uH，其50kHz的感抗为0.314欧，加上整流滤波电容器的阻抗和电路板的电源走线的电阻，从各个子电路向电源看得电源输出阻抗不只1欧，在500kHz以上可能达到数欧甚至10欧。这样的电源阻抗很容易产生有害的电源耦合（如放大电路的寄生震荡或自激多在高频下，数字电路的虚假逻辑电平、基准电源不准确等），而1uF或0.1uF的阻抗在高频下很容易低于1欧。因此通常的比较好的解决方案是在每个子电路的电源两端并联陶瓷电容器以降低在各个子电路电源的高频段阻抗。这就是常说的大电容滤低频、小电容滤高频的“规矩”。 旁路电容的另一个作用是对直流偏置电路的交流旁路（短路掉交流部分）、去耦（对交流短路，滤除交流成分）。 4.电解电容器 一、电容的分类和作用?电容(Electric capacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同：?按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。?按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。?按极性分为：有极性电容和无极性电容。 我们最常见到的就是电解电容。?电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、