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- 2017-07-28 发布于湖北
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第四章 存储器
4.7 一个容量为 16K×32 位的存储器,其地址线和数据线的总和是多少?当选用下列不同规格的存储
芯片时,各需要多少片?
1K×4 位,2K×8 位,4K×4 位,16K×1 位,4K×8 位,8K×8 位
14 16
16K×322 2
1632 16+32=48
16K ´32位
ī1K×4 1K ´4位 =128
16K ´32位
Ĭ2K×8 2K ´8 =32
16K ´32位
ĭ4K×4 4K ´4位 =32
16K ´32位
Į16K×1 16K ´1位 =32
16K ´32位
54K×8 4K ´8位 =16
16K ´32位
68K×8 8K ´8位 =8
4.11 一个 8K×8 位的动态 RAM 芯片,其内部结构排列成 256×256 形式,存取周期为 0.1ms。试问采
用集中刷新、分散刷新及异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?
ī2ms 20000
Ĭ256 0.2ms51.2ms
ĭ2ms/256=7.8ms7.8ms2ms
4.14 某8位微型计算机地址码为 18 位,若使用 4K×4 位的 RAM 芯片组成模块板结构的存储器,试问:
(1)该机所允许的最大主存空间是多少?
(2)若每个模块板为32K×8 位,共需几个模块板?
(3)每个模块板内共有几片RAM 芯片?
(4)共有多少片RAM?
(5)CPU 如何选择各模块板?
18
ī2 ×8=256KB
Ĭ256K ´8位=8
32K ´8位
ĭ32K ´8位=16
4K ´4位
ĮRAM 8×16=128
518A ~A 4K×4 RAM A ~A
11 0 14 12
3-8 8Ĭ4K×4 RAM A ~A
17 15
3-8 8
4.15 设 CPU 共有 16 根地址线,8 根数据线,并用MREQ R / W
(低电平有效)作访存控制信号, 作读/
写命令信号(高电平为读,低电平为写)。现有这些存储芯片:ROM (2K×8 位,4K×4 位,8K×8 位),
RAM (1K×4 位,2K×8 位,4K×8 位)及 74138 译码器和其他门电路(门电路自定)。试从上述规格
中选用合适的芯片,画出CPU 和存储芯片的连接图。要求如下:
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(1)最小4K 地址为系统程序区,4096~16383 地址范围为用户程序区。
(2)指出选用的存储芯片类型及数量。
(3)详细画出片选逻辑。
ī
ROM 4K×8
A A A A A A A A A A A A A A A A
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
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