徐因德曾世昌.PDF

IC封裝體製程晶片厚度對金線偏移影響之研究 徐因德 、曾世昌 國立雲林科技大學機械所 Polymer Processings Laboratory National Yunlin University of Science Technology 大 綱 一、文獻回顧 二、IC 封裝簡介 三、研究動機與問題描述 四、研究方向 五、結果與討論 六、結論 [2] 文獻回顧 曾永裕，研究探討 TSOP封裝形式，經由田口實驗法可發現影響金線偏移主要因 子為金線直徑及充填時間，直徑愈大強度愈高，充填過程模溫高黏度較低，金 線偏移量小[4] 。 Amkor Technology Min-Woo Lee 等人，研究探討FBGA疊 die封裝，利用4種進 澆口形式改善發生金線外露及金線偏移影響，經模擬及實驗發現，corner gate 可改善金線外露的比例 (a) ，center gate 對金線偏移量較小(b)[21] 。 Center gate corner gate (a) (b) [3] 文獻回顧 冉隆源，研究探討 LQFP及TFBGA封裝形式，進澆口尺寸會造成流動不平衡(a,b) ，發現當樹脂流動波前之方向與金線垂直時，金線受樹脂之拖引力越大而使金 線之偏移量變大，而樹脂在模穴內流動時，因金線排列密集會阻礙其流動使流 動速度降低，當金線數量較多且緊密時，金線偏移量較大 (c,d)[9] 。 (a) (b) (c) (d) [4] IC 封裝製程簡介 IQC WG Die Saw Die Bond Cure Plasma Wire Bond Molding [5] IC 封裝製程簡介 Post Mold Cure Marking BGA Lead Frame Ball Placement De-junk Trimming Plating Saw Forming Singulation Singulation BS/LS