磁控共溅射低温制备多晶硅薄膜及其特性研究.pdfVIP

第 36卷 ，第3期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．36，No．3，pp635—639 2016年 3月 SpectroscopyandSpectralAnalysis March，2016 磁控共溅射低温制备多晶硅薄膜及其特性研究 段 良飞L。，杨 雯 ，张力元b。，李学铭 。，陈小波 。，杨培志 1．可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室，云南 昆明 650092 2．云南师范大学太阳能研究所，云南 昆明 650092 摘 要 多晶硅在光电子器件领域具有较为重要的用途。利用磁控溅射镀膜系统，通过共溅射技术在玻璃 衬底上制备了非晶硅铝 (a-Si／A1)复合膜，将Al原子团包覆在w-Si基质中，膜中的Al含量可通过Al和Si的 溅射功率比来调节。复合膜于 N2气氛中进行 350℃，10min快速退火处理，制备出了多晶硅薄膜。利用X 射线衍射仪、拉曼光谱仪和紫外一可见光一近红外分光光度计对多晶硅薄膜的性能进行表征 ，研究了AI含量 对多晶硅薄膜性能的影响。结果表明：共溅射法制备的a-Si／A1复合膜在低温光热退火下晶化为晶粒分布均 匀的多晶硅薄膜；随着膜中Al含量逐渐增加，多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸逐渐增加，带隙则逐渐降低； A1／Si溅射功率比为 0．1时可获得纳米晶硅薄膜，A1／Si溅射功率比为0．3时得到晶化率较高的多晶硅薄膜， 通过Al含量的调节可实现多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸及带隙的可控。 关键词 共溅射；铝诱导晶化；低温退火 ；多晶硅；特性 中图分类号：TN304 文献标识码：A DOI：10．3964／j．issn．1000—0593(2016)03—0635—05 引起的杂质能级约为0．069eVc，离价带较近，致使a-Si薄 引 言 膜向多晶硅薄膜转变的活化能较低。因此，在金属诱导 a-Si 薄膜晶化中采用Al作为诱导金属，可提高非晶硅薄膜晶化 多晶硅 (polycrystallinesilicon)薄膜具有较高的载流子迁 的效率。此外，A1作为第ⅢA族元素 ，掺杂到si薄膜中还可 移率、较大的吸收系数及稳定性好等优点[1]，在光电子器件 成为P型杂质[】。基于此，人们对 诱导非晶硅薄膜晶化 领域应用较为广泛，如薄膜晶体管、太阳电池、图像传感器 进行了大量研究，但绝大多数采用了A1／ccSi，a-Si／A1，A1／ 等L2]。多晶硅 (Pc-Si)薄膜通常是由非晶硅 (amorphoUSsili— Alz03／a-Si或者A1／SiO2／si等结构，这些结构在退火过程 con)薄膜晶化而来。目前 ，a-Si薄膜的晶化方法有很多嘲。 中非晶硅薄膜会从 A1／Si界面逐渐晶化 ，导致晶化效率低、 但金属诱导结合退火晶化因具有晶化温度低、时间短等优 不均匀和薄膜分层 [1l_等，特别是薄膜中出现晶化层与非晶 点，能与器件的低温工艺进行 良好的匹配L4而得到研究和生 层分层的现象将直接影响薄膜的光电导等性能。因此，本工 产的重视。人们对金属诱导 ccSi薄膜晶化有较系统的研 作在A1诱导晶化非晶硅薄膜机理的基础上，设计创造了一 究L5]，认为在ccSi薄膜中，杂质、应力、缺陷和位错等都能 种磁控共溅射低温制备多晶硅薄膜的方法。利用磁控溅射镀 为非晶硅薄膜的晶化提供驱动力f6]。金属诱导a-Si薄膜晶化 膜系统，采用共溅射法制备 了不同A1含量的 ccSi／A1复合 的机理研究主要有：Tu等r7在 1987年提出，由于金属 自由 膜，结合低温退火制备出多晶硅薄膜。共溅射法制备的a-Si／ 电子的存在，使~-Si中金属附近的si—si键变得不稳定，从 A1复合膜与常规结构相比具有 A1／Si界面面积大，晶化速率 而导致诱导非晶硅薄膜