太阳电池发电原理与转换效率.PPT

* * 矽PN接合太陽電池輸出特性光輸入功率固定（100mW/cm2)以RSH為變數時） * * 2-6 載體收集效率 * * 載體收集效率 以理想的白色光照射太陽電池，所生成的光生成載體之光譜，以量子效果加以量化的感受光譜。 * * 均-接合面能階模式 均-接合面能階模式為兩材料之不純物濃度相同，而且元件製作中，也沒有不純物元素擴散發生之理想不均一接合能階樣式。 * * 不均-接合面能階模式 不均一接合中，製造過程上很難避免各層元素的相互擴散，而且為降低表面層擴散電阻，而使用高不純物濃度之窗側材料。 * * 不均-接合之寬間隙窗作用說明圖 (a)均-相介面之能階模式 * * 不均-接合之寬間隙窗作用說明圖 (b)W(n)-N(p)不均-接合面之能階模式 * * 不均-接合之寬間隙窗作用說明圖 波長的長光Ⅰ及短光Ⅱ，以x點之光強度Φ及收集到的載體數g(x)來表示。 * * 不均-接合之寬間隙窗作用說明圖 波長的長光Ⅰ及短光Ⅱ，以x點之光強度Φ及收集到的載體數g(x)來表示。 * * 均相與不均相接合之載體收集效率比較 由圖可以知道收集效率，因不均一接合之窗效果而大幅改善。 由於不均一接合太陽電池的效率，是由這些效果互相連動著，故必須考慮到組合材料之禁制帶寬、光學、電學之常數及太陽輻射能量，做構造上的最佳設計。 * * 2-7 理論限界效率與太陽電池之損失 * * 理論限界效率與太陽電池之損失 對於結晶矽而言，理論限界為27%，研發階段為24.2%，但量產規模時只有16~18%。 低成本之非晶矽太陽電池，理論限界為25.5%，但pin單一接合為13%，且10x10cm2之實用型只有12%。 * * 各種太陽電池在室溫理論效應 實際製做之太陽電池的實測效率如圖其效率只有理論值的50~70%而已。 矽p-n接合太陽電池之理論值為26%，實際市售矽太陽電池轉換效率只有12~14%。 已定案之不能回收之損失成分，為材料的光電光譜感度與太陽光光譜之不整合所致，也就是完整通過太陽電池用材，且不生成光載體之成分，與在表面被反射或散射損失之能量。 * * 損失因素 從光譜感度而言，屬有效光，但在表面反射造成反射損失。 生成之載體在太陽電池之表面或背面電極之邊界面上，再結合所生表面再結合損失。 在半導體整體材料上，再結合所生之整體再結合損失。 太陽電池因供給電力負載，當電流流過時，因電極或半導體整體內之電阻，所生焦耳熱之串聯電阻損失。 生成之光載體，因半導體之內部電場作用而移動，造成分極，產生出力電壓。 * * 2-8 高效率化技術及其構造物性 * * 高效率化技術 太陽光發電計畫在眾多新能源開發當中，以其豐富性及無公害性而言，是乾淨能源中的佼佼者，但卻因為使用超高純度半導體，故發電成本高為其最大之缺點。 * * 實用太陽電池原理機能與基本構成 * * 高效率化原理機構與具體的技術 Device 對策 實用技術 (a)進入材料之光能有效封存 a-1 抗反射塗覆(表面反射損失的減少) a-2 Texture 表面處理 a-3裡面電極的亂射處理 (b)光生成載體之有效收集與光電效應 b-1 不均一接合所生少數載體鏡面效果 b-2 Drift 型光起電力效果 pin 接合 Gray dead Gap Gray dead 不純物 Dope(BSF)法 b-3 超格子的利用 (c)光生成載體再結合損失的降低 c-1 光生成活性層膜質的改善 c-2 pn, pi, in 接合及不均一接合界面上的再結合降低 表 2-1 * * 高效率化原理機構與具體的技術(續) Device 對策 實用技術 (d)串聯電阻損失的降低 d-1 透明電極的低電阻 d-2 電極樣式的最佳化 d-3 Tunuel 效果電極及其最佳配置設計 (e)電壓因子損失的減輕 e-1 不均一接合的少數載體鏡面效果所生界面再結合的減少 e-2 Drift 型光起電力效果的利用 e-3 其它BSF處理等 (f)更寬能量光譜的收集 f-1 4端子積層型電池 f-2 2端子積層型電池 f-3 不均一面接合 f-4 Wide Gap 窗作用(不均一接合,超格子利用) * * 效率改善 表2-1之(B)(C) 為光生成載體之有效收集及其再結合損失之降低法。首先為改善半導體活性層之膜質改善，其次為不均接合，超格子在寬間隙窗作用成移動效果上，為有效收集載體之對策 * * 太陽電池用AR(抗反射)塗覆之反射特性anti-reflection 在玻離上以MgF2、TiO2與CeF3之順序，塗上單層到3層之反射膜。 除了上述之塗覆材料外，也可以採用ZrO2及Al2O3等，這些膜的折射率不同，故最低反射率之波長也不同。 * * TiO2與Ag膜所生成BSR效率改善例 非晶矽太陽電池