剖析1 常用半导体器件.pptVIP

2、N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 当UGS=0时，UDS加正向电压，产生漏极电流iD,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。 当UGS＞0时,将使iD进一步增加。 当UGS＜0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至iD=0，对应iD=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS（off）表示。 UGS(V) iD(mA) UGS(off) N沟道耗尽型MOS管可工作在UGS?0或UGS0 N沟道增强型MOS管只能工作在UGS0 3、N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 输出特性曲线 UGS(V) iD(mA) UP 转移特性曲线 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 1.4.3 场效应管的主要参数 2. 夹断电压UGS(off)：是耗尽型FET的参数，当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零。 3. 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管当UGS=0时所对应的漏极电流。 1. 开启电压UGS(th)：MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。 4. 直流输入电阻RGS(DS):栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比。结型:大于107Ω，绝缘栅:109～1015