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第一章 半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 稳压二极管稳压原理 使用稳压二极管的注意事项 （1）必须工作在反向击穿状 （2）流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 （3）稳压管可以串联使用，串联后稳压值为各管稳压值之和。不能并联使用 五 光电二极管 结构与工作原理:光电二极管又叫光敏二极管，它是一种将光信号转化为电信号的器件。其结构与普通二极管相似，只是管壳上留有一个能入射光线的窗口。 光电二极管工作在反偏状态下，当无光照时，与普通二极管一样，反向电流很小，称为暗电流。当有光照时，其反向电流随光照强度的增加而增加，称为光电流。 六 发光二极管 1.3半导体二极管的基本应用电路 一、限幅电路 二、钳位电路 1.4 串联式稳压电路 1.5 集成开关式稳压电路 本章小结 常用的集成三端稳压器的外形及类型 类型：W7800系列 —— 稳定正电压 W7805 输出+5V W7809 输出+9V W7812 输出+12V W7815 输出+15V W7900系列 —— 稳定负电压 W7905 输出-5V W7909 输出-9V W7912 输出-12V W7915 输出-15V 1端: 输入端 2端: 公共端 3端: 输出端 1 2 3 二极管的近似分析计算 I R 10V E 1kΩ I R 10V E 1kΩ 例： 串联电压源模型 测量值 9.32mA 相对误差 理想二极管模型 R I 10V E 1kΩ 相对误差 0.7V 例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 三. 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR——— 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 (3) 反向电流IR—— 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 四、稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 Uo DZ R IL Ui RL IR IZ IR=IZ+IC (1) Ui Uo IZ IR UR Uo (2) Ui Uo IZ IR UR Uo (3) Ui不变 RL RL IL IR Uo IZ IZ = IL 总电流不变 ，输出电压不变 稳压二极管的主要 参数 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作 电流IZmin—— 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流IZmax—— 超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。 串联使用举例课本p/10 (a)图形符号 (b)特性曲线 （1）结构和工作原理。 发光二极管简写为L