改善高低温偏移的理论依据及一般方法.pdfVIP

改善高低温偏移的一般方法及理论依据 目前，我们在设计滤波器时对温度漂移的一般解决方法为：1.仿真；2.经验。 这些是在设计前期使用的方法，不一定能保证产品做出来以后高低温偏移能完全 符合要求，如果在产品设计出来以后，发现高低温偏移过大，此时如果单腔和台 阶都不容易改变而且谐振杆材料希望不变的情况下，我们就可以通过改变谐振杆 尺寸的方法来改善高低温偏移，到底要怎么改呢？ 我们都知道，一个谐振单腔等效于一个电容和一个电感的串联，其中电容为 谐振杆上盘面与 （盖板+调谐螺杆）之间形成的平板电容，电感则为谐振杆主体 部分与调谐螺杆共同形成。高低温下频率的偏移就是因为温度变化以后引起单腔 及谐振杆尺寸的变化，继而引起等效电容和等效电感的变化，最终导致单腔谐振 1 频率的变化 （f = ）。 2¿ LC 首先，我们设定单腔半径为R0 （假定为圆腔，方腔类似），单腔高度为H0 ， 谐振杆总高为H1 ，谐振杆盘面面积为S1，谐振杆与盖板距离d=H0-H1,我们设 定一个系数a=H0/d,即单腔总高比上谐振杆与盖板距离的倍数。腔体材料线膨胀 系数为p0 ，谐振杆材料线膨胀系数为p1 ，假定温度变化为温度升高t 度，则所 有腔体的线尺寸均变为l = l ( 1 + p 0 * t ) ,而所有的谐振杆的线尺寸均变为 l = l ( 1 + p 1 * t ) ，谐振杆的面积尺寸均变为S =S (1+p 1* t) 2 。 我们现在来分析一下当温度变化的时候，该谐振单腔的等效电感和等效电容 的变化： R0 2 在温度变化前，等效电感为L = K * H 1* ( ) (其中K 为一常数比例因子)， R 1 µS 1 µS1 等效电容为C = = ，此时该单腔的谐振频率为 4¿kd 4¿k (H 0 —H 1) 1 kd R 1 H 0－H 1 f = = =A * (A 为假定常数比例因 2¿ LC R0 2 R0 H 0 * S 1 ¿µk ( ) * H 0 *S 1 R1 子)； 温度变化 （假设此时温度变化为升高t 度）后，等效电感变化为 （1+p 0 * t）* R0 2 (1+p 0 * t) 2 L =K *（1+p 1* t）* H 1* ( ) = L （可以看出，等效电感 （1+p 1* t）* R 1 1+p 1*t 的变化比例只与材料有关，与谐振杆的尺寸和形状并无关系）,等效电容变化为 2 µ *（1+p 1* t）* S 1 C= ，此时该单腔的谐振频率为 [ ] 4¿k (1+p 0 *t)H 0 —(1+p 1*t)H 1 (1+p 1* t)R 1 (1+p 0 * t)H 0－(1+p 1*t)H 1 f = A * 2 ,我们将温度变化前后的频率 (1+p 0 * t)R0 (1+p 0 * t)H 0 * (1+p 1* t) S 1 相除，就可以得到 f (1+p 1*t) (1+p 0 * t)H 0－(1+p 1* t)H 1