宽带可调谐激光器融合量子点和硅光子学-激光世界.PDF

技术中心 Technologies Center 可调谐激光器 宽带可调谐激光器 融合量子点和硅光子学 文/Tomohiro Kita ，Naokatsu Yamamoto 一种新的波长可调谐激光二极管将量子点（QD）技术和硅光子学与 得高质量量子点的简单而有效的方法 1310 nm通信窗口附近的高光学增益相融合，并且可以整合其他无源和 （见图1）。 有源组件，迈向真正的集成光子学平台。 在 SSNS 方法中，三层单层 GaAs 薄膜（每层约0.85 nm 厚）生 种新的异质波长可调谐激光二 线宽增强因子，以及基于绝缘体上硅 长在量子点下的铟镓砷（InGaAs ）量 一 极管，利用量子点（QD ）和硅 结构的硅光子学线波导，容易更改以 子阱（QW ）中。此前曾尝试过不采 光子学技术，采用高度集成光子学器 建立高度集成的光子学器件。 [1-4] 用SSNS 的传统生长技术，观察到许 件的可扩展平台，来利用 1000~1300 用于短距离数据传输的光子学器 多大的聚结点，可以诱导量子点器件 nm 波段的高光学增益。日本东北大 件需要具有小巧的尺寸和低功耗。因 中的晶体缺陷。现在，由于SSNS 技 学和日本情报通信研究机构（NICT ） 此，紧凑的低功率波长可调谐激光二 术成功抑制了聚结点的形成，从而能 之间的合作研究，展示了1230 nm 中 极管，是已设计使用这些未开发频带 够得到高浓度（8.2 ×1010 cm-2 ）、高 心波长附近44 nm 的宽带调谐，并且 的更高容量数据传输系统的关键器 质量的量子点结构。 具有超小的器件尺寸以及许多具有多 件，而我们的异质波长可调谐激光二 制作脊型半导体波导用于单模传 种性能指标可能的更多配置。 极管由量子点光学增益介质和硅光子 输。半导体光学放大器（SOA）的截 最近开发的高容量光学传输系 学外腔组成，是一种很有前途的备选 面具有镀减反膜（AR ）面，是具有 统，使用具有密集频率信道的波分复 器件。[5] 低反射的硅光子芯片和用作激光谐振 用（WDM ）系统。由于1530~1565 nm 腔中一块反射镜的解理面的接触面。 的传统波段（C 波段）的频率信道过 量子点光学放大器 为了制备SOA ，将SSNS 生长技 于拥挤，这类WDM 系统的频率利 通过采用大直径砷化镓（GaAs ） 术与分子束外延相结合。由20~30 nm 用效率达到饱和。然而，近红外波 衬底上的量子点生长技术，可以有效 直径的砷化铟组成的量子点在InGaAs 长区域内还有大量未开发的频率资 制备跨越T 波段和O 波段的超宽带 量子阱中生长。七层这些量子点层堆 源，例如1000~1260 nm 的T 波段和 光学增益介质。我们的三明治结构亚 叠起来，实现宽带光学增益。随后， 1260~1350 nm 的O 波段。 纳米分离器（SSNS）生长技术是获 该QD-SOA 用作异质激光器的光学增 基于量子点的光学增益介质具有 各种有吸引力的特性，包括超宽光学 a) b) c) SOA (2000 μm) p-GaAs 增益带宽、高温下的器件稳定