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宽带高动态范围限幅放大器 - Analog Devices
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宽带高动态范围限幅放大器
Adam Winter
高级微波设计工程师
Jerry Cornwell
产品开发经理
本文将回顾2 GHz至18 GHz限幅放大器的设计考虑因素和技巧,
要求45 1.5 dB的增益、–40 C至+85 C的工作温度范围、小于1.5
摘要 ± ° °
W dc功率、40 dB的限幅动态范围。限幅动态范围定义为RF输出
宽带高动态范围微波限幅放大器是电子战(EW)系统中的
功率固定的输入功率范围。ADI提供2 GHz至18 GHz宽带限幅放
关键元器件,因为这些系统需要在很宽的输入功率范围
大器产品HMC7891 ,满足上述要求。该放大器包括内部稳压功
内提供稳定/压缩输出功率。这些EW系统通常需要高增益
能,采用密封连接器式封装。
和平坦的响应,必须能够在恶劣热环境中工作。要在多
个倍频程频段内保持可接受且可靠的性能,需要对放大 2.0 构建和放大器考虑因素
器链进行精心设计。放大器链的不当级联和饱和可能导
微波限幅放大器设计首先是选择首选构建方法和内部增益级
致性能不可靠且无法预测。本文将演示2 GHz至18 GHz的
放大器。对于高频应用,混合芯片和电线组件通常优于表面
设计,它使用ADI器件实现大于40 dB 的限幅动态范围,
贴装设计,以便最大程度地减少由于封装寄生效应导致的不
输出功率变化小于2 dB ,噪声系数为4 dB ,工作温度范 良性能影响,混合芯片和电线组件的可靠性非常出色,因为
围为–40 C至+85 C。利用ADI独特的MMIC优势和子系统设
° ° 混合组件经过了彻底检测,能够很好地应对环境压力。此
计能力,我们能够提供出色的解决方案,满足客户对高 外,这些组件体积小,重量轻,易于密封。混合芯片和电线
级应用的需求。下文展示了性能测试结果。 组件包括裸片形式的单芯片微波集成电路(MMIC) 、薄膜技术、
可线焊的无源组件。
1.0简介 选择内部增益级的主要考虑因素包括工作频率范围、增益与温
度的关系、增益平坦度、饱和谐波成分、非线性性能。成功的
很多新型EW系统需要低噪声接收机,能够耐受多个倍频程带宽
限幅放大器设计应该最大程度地减少增益级和专用器件数,以
范围内的宽输入功率变化。这些接收机是保护敏感元器件免受
减少热补偿和平坦度问题。此外,设计成功很大程度上还取决
RF过驱影响、消除传入信号AM调制所必需的。此外,由于采用
于器件最大输入功率额定值,以及所选增益级的压缩特性。为
多通道系统设计并且靠近接收机天线
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