应用於LTE-Advanced系统之宽频带高线性混频器设计.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 應用於 LTE-Advanced系統之寬頻帶高線性混頻器設計 研究成果報告(精簡版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 99-2218-E-022-002- 執 行 期 間 ：99年11月01日至 101年01月31日 執 行 單 位 ：國立高雄海洋科技大學電訊工程系 計 畫 主 持 人 ： 魏宏哲 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：陳雋尹 大專生-兼任助理人員：陳明寬 大專生-兼任助理人員：劉韋德 報 告 附 件 ： 出席國際會議研究心得報告及發表論文 公 開 資 訊 ： 本計畫可公開查詢 中 華 民 國 101 年 04月 30 日 中 文 摘 要 ： 本計劃「應用於高階LTE系統之寬頻帶高線性混頻器設計」 主要是研究並設計能夠應用在第三代合作夥伴計劃（3GPP） 高階長期演進(LTE-advanced)系統中的高線性混頻器。此高 線性混頻器將可操作於寬頻率範圍，同時具有高線性度、高 轉換增益、低雜訊指數和高隔離度的特性。 在無線接收機的設計中，混頻器的設計相當重要，其線性度 與隔離度對於接收機的無雜波干擾動態範圍與穩定性有極大 的影響。混頻器將高頻訊號降頻至低頻，使信號能在低失真 的情況下獲得足夠的增益。隨著高階長期演進系統的演進與 發展，寬頻帶高線性混頻器對射頻電路設計者而言，成為一 項嶄新的挑戰。目前CMOS技術擁有極好的高頻性能並且能提 供最低成本以滿足資料傳輸率方面的需求。本計畫將致力 CMOS混頻器線性度的研究，主要著重於轉導級與電流切換級 的線性分析與設計，以提升混頻器的線性度與整體效能。 本計畫所提出之混頻器，利用提昇轉導與電流注入的技術改 良混頻器的線性度以及轉換增益，並利用tsmc 0.18μm Mixed Signal CMOS RF model實現電路的評估與設計。在低 功率消耗之前提下，採用1.2V 電源電壓驅動。所實現之混 頻器參數表現為操作頻率為1.4~3.6 GHz；三階輸入截斷點 (IIP3)為-0.5~2.6 dBm；單邊帶雜訊指數(NF)為20.8~23.2 dB；轉換增益為4.3~6.9 dB；整體包含輸出緩衝級的功率消 耗為7.8 mW。 中文關鍵詞： 高階長期演進、線性、混頻器、互補式金屬氧化半導體 英 文 摘 要 ： The project, ’The design of wideband high-linearity mixer for LTE-advanced applications’, will be focused on the implementation of mixers for Long Term Evolution(LTE)-advanced applications. The LTE- advanced mixer is de