晶片减薄技术原理概况柳滨.pdfVIP

电子工业专用设备 专题报道 !#$%’() *+, -.’/),+(01 2,+3#1)4 56(#*61)#,0(7 晶片减薄技术原理概况 柳 滨 中国电子科技集团公司第四十五研究所 北京东燕郊 ! % !!#! 摘 要 从对晶片减薄的质量要求角度出发 论述了垂直缓进给 晶片减薄原理与垂 # % ! +,--.$/--0 直切深进给 晶片减薄原理 提出原理设计中的原则和相关问题 ! 12$/--0 $ $ 关键词 晶片减薄 减薄技术 减薄工艺 减薄原理 # ’ ’ ’ 中图分类号# 文献标识码# 文章编号# 34*#5! 6 %7$7#(8!#9’$!!$# 8#,9’: *+, ;6*’, ,0(30(7 =’1(+.+7: :1; =2 83- 7#? 12@?=?A?- BC +D3+) -=E=2F DG@? HG2E=GB) % %’ %) +=2G9 ?@4),61) # 3=@ .G.-, 0=@IA@@-@ ?- GI?=B2@ G20 2-I-@@=?J BC KGC-, F,=20=2F ?-I2BLBFJ5 6IIB,0=2F ?B MAGL=?J BC KGC-, @A,CGI- F,=20=2F .,BI-@@) =? @?A0=-@ .,=2I=.L- BC +,--.$/--0 G20 12$C--0 % N,=2F=2F CB,$ KG,0 ?- .,=2I=.L- G20 MA-@?=B2@ CB, 0-@=F25 A’:B+,3C OGC-, F,=20=2FP Q,=20=2F ?-I2BLBFJP Q,=20=2F .,BI-@@P Q,=20=2F .,=2I=.L- 集成电路制造技术的进步首先来源于市场需 定的厚度 这一工艺过程称之为晶片背面减薄工 $ 求的要求 其次是竞争的要求 在集成电路制造中 艺 对应装备就是晶片减薄机 % $ % % $ 半导体硅材料由于其资源丰富%制造成本低%工艺 % $ 性好 是集成电路重要的基体材料 # 晶片减薄的必要性和作用 % 从集成电路断面结构来看 大部分集成电路是 在硅基体材料的浅表面层上制造$ 由于制造工艺的 #$# 提高芯片的散热性能要求 % 要求 对晶片的尺寸精度 几何精度 表面洁净度以 在集成电路中%由于硅基体材料及互联金属层 及表面微晶格结构提出很高要求$ 因此在几百道工 存在电阻 在电流作用下 芯片要产生发热现象