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* 等效电路与工作特性曲线 ①等效电路 图2-23表示微波场效应晶体管的结构与等效电路关系。 (a)是结构示意图，(b)是其等效电路，gm表示跨导，cgs、cgd、cds分别表示栅源，栅漏、以及衬垫电容。Rg、Rd、Rs、Rj和Rds分别表示栅、漏、源、本征沟道和输出电阻，Ids表示漏源电流。Lg、Ld和Ls分别表示栅、漏、源电极电感。 图2-23 微波FET结构与等效电路关系 * 等效电路与工作特性曲线 ②工作特性曲线 FET的工作基础是用加在栅源之间的电压（Vgs），改变栅极肖特基势垒的宽度，从而改变漏源电流（Ids）和电压（Vds）。 由此可以得到两组特性曲线： 一组以Vds为参变量的Ids~ Vgs曲线，示于图2-24（a）； 又一组以Vgs为参变量的Ids~ Vds特性曲线示于图2-24（b）。 由两组曲线我们可以看到，当Vgs有很小变化时，Ids有较大变化，这就构成了信号的放大， 实践证明：对任何低噪声放大管Vgs在0.5 ~ –3伏范围，Vds在2到5伏范围； ?功率FET，Vgs在–1到–5伏范围，Vds在5~10伏范围。 图2-24 Lds~ Vgs、Ids~ Vds特性曲线 * FET主要参量 （1）截止频率，定义为：当电流增益为一时的工作频率 显然，增大电子饱和速度vs（即增加电子迁移率）减少栅长L可提高FET管的截止频率。 （2）最大振荡频