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??性质　又称或硅氯仿，结构与SiCl4相似，为四面体型。SiHCl3稳定性稍差，易水解 SiHCl3十2H2O==SiO2十3HCl十H2 ??注意要点 (1)合成温度宜低，温度过高易生成副产物。常加少量铜粉或银粉作为催化剂 (2)反应放热，常通入Ar或N2带走热量以提高转化率 (3)须严格控制无水无氧。因SiHCl3水解产生的SiO2会堵塞管道造引起事故。而氧气则会与SiHCl3或H2反应，引起燃烧或爆炸 * ??SiHCl3的提纯　　 精馏　利用杂质和SiHCl3沸点不同用精馏的方法分离提纯 ??多晶硅的制备 精馏提纯后的SiHCl3用高纯氢气还原得到多晶硅 SiHCl3十H2==Si十3HCl 上述反应是生成SiHCl3的逆反应。反应得到的多晶硅还不能直接用于生产电子元器件，必须将它制成单晶体并在单晶生长过程中“掺杂”，以获得特定性能的半导体 * 硅锭的拉制 直拉法 悬浮区熔法 多晶硅浇注法 * 直拉法 即切克老斯基法（Czochralski：Cz)，直拉法是用的最多的一种晶体生长技术。 基本工艺过程： 引晶 缩颈 等径生长 收尾 降温 1.引晶：通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，将籽晶浸入熔体，然后以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体； 2.缩颈：生长一定长度的缩小的细长颈的晶体，以防