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第3章 二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 自然界的许多物质可分为： 导体：铜、铝、银 绝缘体：橡胶、陶瓷、塑料、石英 半导体：硅、锗（元素半导体）、砷化镓（化合物半导体） 常用的半导体为硅Si 和锗Ge 说明：半导体受光、热刺激, 或微量掺杂→导电能力显著增强，易控制，应用广；这是其在电子领域中广泛应用的关键. ;3.1.2 半导体的共价键结构 以硅为例 ? 原子核为（14），14个电子（分能级），能量大的，离核远。; 共价键：是表示两个共有价电子所形成的束缚作用。每一个硅（锗）原子都与周围四个原子构成“共价键”，即每个外层电子为两个原子所共有，互相吸引，很牢固。;吸收能量，挣脱共价键的束缚。其受束缚适中故称为半导体。电子带负电 。;空穴带正电，具有吸引电子的能力。当电子来填补时产生电荷迁移，即电流 ;空穴带正电，具有吸引电子的能力。当电子来填补时产生电荷迁移，即电流。; 本征激发——常温下的热激发，在本征半导体中称为本征激发。本征激发的自由电子和空穴总是成对出现的，即电子空穴对。（自由电子数=空穴数） 载流子的浓度随温度的增加而显著增加?导电能力增加。 半导体的导电性能对温度很敏感，这是半导体的重要特性。 3.1.4杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著变化。 根据掺杂性质不同，可分为和空穴半导体（P型） 电子半导体（N型）。;1）P型半导体 掺入多出空穴元素的半导体；导电以空穴为主。 掺入少量3价元素——硼。 硼原子外层有3个电子，与硅组成共价键后，因缺1个电子而形成空穴。;2）N型半导体 掺入多出价电子元素的半导体；导电以电子为主。 在硅（或锗）晶体中掺入5价的磷（或锑），外层5个电子中的4个与硅组成共价键，多余1个电子?自由电子（仅须很小的能量）。虽掺杂很微但载流子的浓度要远高于本征激发的自由电子的浓度。 ? 磷原子在硅晶体中能提供电子，称磷为“施主杂质”，或N型杂质。在N型半导体中，多数载流子——电子；少数载流子——空穴。 注：整体呈电中性。;3）掺杂后的导电性能 不掺杂：晶体的导电性能近乎绝缘体。 掺杂后：半导体中具有多子和少子，这与本征半导体中的电子——空穴对具有关键的差别。 掺杂微量：大大提高了半导体的导电能力。常温下，每个杂质原子可提供一个可成为自由电子的价电子 （或空穴）,其数量远大于本征半导体激发的电子（或空穴）的浓度， 掺杂——对半导体的导电性能起了关键作用。; 本征半导体、杂质半导体;3.2 PN结的形成及特性 在一块完整的硅（或锗）片上，用不同的掺杂工艺形成N型和P型半导体。 漂移：电场作用下的载流子的运动。扩散：浓度差引起的载流子的运动。 1.PN结的形成 P型半导体与N型半导体交界处 ?空间电荷区，即PN结;④非空间电荷区呈低阻，空间电荷区具有阻止电流作用，呈高阻，越宽电阻越大。 ⑤平衡——并非停止了扩散和漂移而是这两种运动处于动态平衡中 ⑥扩散——浓度差所致（多子）；漂移——电场所致（少子）。;1）外加正向电压VF （正向偏置，电源正极——P端） 正偏?空间电荷区变窄?PN结电阻变小——IF大;2）外加反向电压 （反向偏置，电源正极——N端） 外加电压方向与内电场方向相同，内电场加强，阻挡层变宽（只有极少数载流子的漂移），PN结呈高阻。此时的反向电流IS（反向饱和电流）很小（漂移电流，随温度变）。 ;3）PN结的伏-安特性 以硅二极管为例，在PN结两端加正、反向电压时，结电流 ID =IS（eVD/VT?1） 式中： IS—反向饱和电流；VD—外加电压；VT—温度电压当量；q—电子电量。 VT=kT/q=T/11600=0.026V (26mV) (T = 300K时即摄氏27度);3、 PN结的反向击穿 反向击穿有两种：电击穿和热击穿。 1）电击穿 当反向电压增加到一定程度时，可能产生电击穿。强电场?→自由电子、空穴数↑ →反向电流↑（陡增） 。有两种：;两种类型半导体二极管： 点接触型特点——结面积小，通过较小的电流，CB、CD较小 ； 用于小功率、高频电路，如：检波、开关等。 面接触型特点——结面积大,能通过较大的电流，但CB,CD较大； 用于大功率、低频电路，如：整流等。;3.3.2 二极管的伏-安特性 与PN结大体相同 但因引线电阻和半导体