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LED芯片知识，LED芯片的分类与应用发布者：：topday 　发布时间：：2010-05-04 14:10　浏览次数：： 508一、LED芯片的原理：??????? LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是 P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是 N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N 结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向 P 区，在P 区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是 LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成 P-N结的材料决定的。??二、LED芯片的分类：?1.MB 芯片定义与特点? 定义：Metal Bonding(金属粘着）芯片；该芯片属于 UEC的专利产品。? 特点：（1）采用高散热系数的材料---Si 作为衬底，散热容易。Thermal Conductivity GaAs: 46W/m-K GaP: 77W/m-K Si: 125～150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC: 490W/m-K （2）通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。（3）导电的 Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差 3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。（4）底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。（5）尺寸可加大，应用于 High power 领域，eg:42mil MB。?2.GB 芯片定义和特点?? 定义：Glue Bonding(粘着结合）芯片；该芯片属于 UEC的专利产品。?? 特点：（1）透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的 2倍以上，蓝宝石衬底类似 TS 芯片的 GaP 衬底。（2）芯片四面发光，具有出色的 Pattern图。（3）亮度方面，其整体亮度已超过 TS 芯片的水平(8.6mil)。（4）双电极结构，其耐高电流方面要稍差于 TS单电极芯片。?3.TS 芯片定义和特点?? 定义：transparent structure(透明衬底)芯片，该芯片属于 HP 的专利产品。?? 特点: (1)芯片工艺制作复杂，远高于 AS LED。(2)信赖性卓越。(3)透明的 GaP 衬底，不吸收光，亮度高。(4)应用广泛。4.AS 芯片定义与特点?? 定义：Absorbable structure (吸收衬底）芯片；经过近四十年的发展努力，台湾 LED 光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。????? 大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所谈的 AS 芯片，特指 UEC的 AS 芯片，eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。??? 特点：（1）四元芯片，采用 MOVPE 工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。（2）信赖性优良。（3）应用广泛。三、发光二极管芯片材料磊晶种类1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP 2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs 3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN 4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs 5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs 6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs? 四、LED芯片组成及发光????????LED晶片的组成：主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。LED晶片的分类：1、按发光亮度分：A、一般亮度：R、H、G、Y、E 等B、高亮度：VG、VY、SR等C、超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE 等D、不可见光(红外线)：R、SIR、VIR、HIR E、红外线接收管：PT F、光电管：PD 2、按组成元素分：A、二元晶片(磷、镓)：H、G 等B