第二章 热平衡时的能带和载子浓度 3.ppt

Degenerate: 2.6 本質(Intrinsic)半導體的載子(carrier)濃度 Thermal equilibrium：無外界激發，如光、壓力、電場。 本質半導體：雜質量遠小於因熱能產生之電子電洞對的半導體，一般指的是未摻雜質的半導體。 如何求得電子濃度n(單位體積的電子數）？ ? 導電帶的電子濃度為：（假設Ec=0） 能量介於E與E＋dE間的電子濃度 N N n(E)：單位能量，單位體積的電子數。 N(E) (Density of states)：能量在E到E＋dE間的單位體積允許能階數。 F(E) (費米機率分佈）：能量為E的狀態，被電子填滿的機率。 即：在單位體積內，電子的數目為電子可能存在的狀態乘上這些狀態被填滿之機率。 N Fermi- Dirac Disribution F(E) 統計力學上用來表示某些粒子的機率分佈，晶體中的電子就滿足這種分佈 其中 k為波茲曼常數，k = 1.38066x10-23J/K T為絕對溫度，單位為K。 一般在室溫（300K）下，kT = 0.0259eV EF為費米能量。 能量為E的能量狀態被電子佔據的機率 費米能量（Fermi Energy） T = 0K時，能量低於EF的能量狀態被電子佔據的機率為1，能量高於EF的能量狀態被電子佔據的機率為0。 EF 小於費米能量的能態 費米能量（Fermi Energy）（續） T 0K時，比能量EF小一點之能態上的電子有機會躍升到能量大於EF的能態 能量為EF的能態被電子佔據的機會為1/2 費米能量（Fermi Energy）（續） 被電子佔據的機率分佈 能態為空的機率分佈 即：形成電洞的機率 若 ，則費米機率分佈可以以波茲曼分佈來近似。 費米能量的位置 此二圖相乘 曲線下面積為電子濃度 曲線下面積為電洞濃度 若EF靠近Ec，則由圖可知電子濃度會大於電洞濃度 費米能量的位置（續） 若EF靠近Ec，則由圖可知電洞濃度會大於電子濃度 費米能量的位置（續） 若EF在Ec與Ev的中間，則由圖可知電洞濃度會等於電子濃度。 熱平衡狀態下，本質半導體之電子濃度應等於電洞濃度， 故可知費米能量應在Ec與Ev的中間。 熱平衡狀態下，本質半導體之載子濃度討論 熱平衡狀態下，本質半導體之電子濃度應等於電洞濃度。以ni表示本質半導體的電子及電洞濃度，即n = p = ni 熱平衡狀態下，本質半導體的載子濃度受到溫度、有效質量以及能隙的影響。 室溫下：矽的ni = 9.65 x 109cm-3 砷化鎵的ni=2.25 x 106cm-3 溫度越高，ni越大。 以GaAs為例: 300K的ni為2.26×106cm-3， 450K的ni為3.85×1010cm-3 Eg越大，ni越小。 2.7 施體與受體（Donors and Acceptors） 摻有摻質(dopant)的半導體稱為外質半導體（extrinsic） 摻質可分為施體(donor)及受體(acceptor) 摻入五價雜質 摻入三價雜質 摻質(dopant)對半導體能帶圖的影響 以施體為例，好像一個帶正電的施體離子以及一個受束縛的電子。電子要脫離束縛，跳升至導電帶的能量稱為解離能。 摻質(dopant)對半導體能帶圖的影響 Shallow impurity level： 游離能小於3kT的摻質能階。 Deep impurity level: 游離能大於或等於3kT。 2.7.1 Nondegenerate (非簡併）semiconductors Nondegenerate: 雜質濃度較小，彼此距離較遠，其所產生的電子（或電洞）沒有交互作用。此時之EF與Ec(或EF與 Ev)的距離大於3kT。 載子濃度與費米能階 N type：n p，EF在能隙中央之上方。 P type：p n ，EF在能隙中央之下方。 本質半導體之公式仍可用（nondegenerate時）： n p乘積仍為常數（相同材料，溫度下）： 可整理成： 又 同理： 可得 與本質半導體有相同的結果 整理：熱平衡時，加入摻質不會改變電子電洞濃度的乘積，但會使費米能階朝向Ec或Ev移動 載子濃度與摻質濃度 若摻質為淺層施體，在室溫下即有足夠的能量游離出電子，假設施體完全解離，電子密度n = ND（施體濃度）。 同理，若摻質為淺層受體，在室溫下即有足夠的能量使得價電帶的電子跳升到受體能階，產生電洞。假設受體完全解離，電洞密度p = NA（受體濃度）。 式(25)及式(27) 非本質半導體費米能階的位置 N型半導體： P型半導體 溫度越高，Ec與E