CIGS薄膜太阳能电池研究进展 Research Progress in CIGS Thin-film Solar Cells.pdfVIP

^ii女十≈CIGS薄膜t№t}丰∞i《履， 关键目：￡mn；自池．薄Ⅸ．CIGS 中圈分粪g TMgt44’2 i献标*日：A 女章镕{1COI一9006{201I)02-0361—07 Research inCIGSThin·俐mSolarCells Progress YE Fei，YUZheng-goang hn枷‰TumlnIⅢIJd 618000№yut,g-t11…Chins inm#anhworkIhinfilm∞I…¨^due Cl∞Illitl gbstmct：m nf h1‘“I洲∞sI p啉ent…nd…n一…1l…engaged of malerlals of and^table film…mtypeph…Ⅷr h*l¨“vⅦ18F5inp…t*I“t兀t嘶sbn…nhi出effleiencyperfo—nce clGsthin couNlrinll8 rfMucesIhemcent 。”lmPⅢh，m nhwlⅡcells…h帆becomingp“rHilinginm8w papernminlyinl m—h P“目№ofCIGSthin·filmt|ells Kevwords：5d岍cell；thin film；CIGS 薄膜太阳能光伏电池以其低戍本啦01r越来越 制备的CIGS薄膜电池已达到199％的记录”1，mJ 多的研究者s，系薄膜CIS系薄膜、有机薄膜和CIGS薄幞制备的聚光太阳能电池转化率达到 215％“，是所有目前研制的薄膜太阳电池中最 cd’Ik系薄膜成为了研究的热点1。CIS系列薄膜 电池和其他薄膜电池相比，其光电转化效率高、性 能稳定、广阔的应用前景成为各国研究的热点之 ‰的比例诵整来优化禁带宽度，町精隙墒接是 04 eV 一。CulnSe，(CIS)薄膜材料的禁带宽度为1 且为直接带隙材料，其光吸收达到10’cm’。，只需CdTe系等的最大优势，所以对CIS系薄膜太阳电 要I～2“m厚的薄膜就町以吸收99％以r的太阳池的研究蕈点就转向CIGS薄膜太阳电池。 光．因此，它是一种重耍的太阳能光电材料2。 辋塑豳鳝鞫爨圈酾翅霞霪离霸 太阳IU池的理论转化率为25％一30％．为r提高 教率、阵低成本以厦制各环境友好材料，柑 太甜电池种基本原理是光生伏特教应”。：光照 Cu[nSe，基础E发展起来r相同体系的太阳能光电下．pn结处的内建电场使产生的非平衡载流子向空 材料，也括Cu(In，e“)sc：(CIGS)、Cu(In，ca)间电倚K两端漂移，产生光生电势，与外路连接便 产生电流，单结CIGS薄膜太阳电池的幕奉结构由村 (S，叠)，(ClGSSe)、CuInS：cucdq‘。其中． CIGS是CIS系列中最具有发展前景的材料．NREL底、背电微层、哑收层，缓冲层、宙¨层、减反培、 ：昙勰_2D”加E11i叭-06㈨+姗{}nfⅡ瞅a撬毗mM$mn#$研盘 Jr＆lⅫ m十№(1970)月￥nflbf#＆^{[{*±．ⅨH$*％∞#$Ⅲ≈。1 万方数据 电极层组成。典型的CIGS薄膜太阳电池的结构 (4)CIGS薄膜可用钠钙玻璃作衬底，不仅成 如 为‘7|： Gl鹊s／M0／CIGS／Zns／i．Z