RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象 Semiconducting Transformation Phenomena of RTV Coating in the Electrolyte.pdfVIP

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2017-08-02 发布于上海
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RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象 Semiconducting Transformation Phenomena of RTV Coating in the Electrolyte.pdf

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RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象 Semiconducting Transformation Phenomena of RTV Coating in the Electrolyte

第33卷第12期高电压技术 v0133No．12 2007年 12月HighVoltageEngineering Dec． 2007 ·85· RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象钟庆东1～，王艳珍1，李红蕊1，M．Rohwerder2，M．Strattman2 (1．上海大学材料科学与工程学院，上海200072；2．马普钢铁研究所，杜塞尔多夫40237) 摘研究了室温硫化(RTV)涂膜在质量分数为5％的硫酸钠溶液中的导电行为。研究发现，RTV涂膜表现为极弱的P 型半导体特征，电子受体密度N。约为10”m一。随着浸泡时间的延长，RTV涂膜的导电行为从初期的P型半导体转变为绝缘体，RTV涂膜的空间电荷层电容C”变化不大。随着测试频率的增加．RTV涂膜的C。。则逐渐减小。这一现象对RTV涂料的应用有一定指导意义。关键词：电位一电容法；Mort—Schottky分析；RTV涂膜；半导体转变；P型；n型中图分类号：TGl74．4 文献标志码：A 文章编号：1003—6520(2007)12-0085—06 TransformationPhenomenaofRTV inthe Semiconducting Coating ZHONG Yan—zhenl，I，1 Qing—don91”，WANG (1．SchootofMaterialsScienceand 200072，China； Engineering，ShanghaiUniversity，Shanghai 2．Marx-Planck—InstituteforIron Research，Dusseldorf 40237，Germany) ordertorealizethemechanismof of in Abstract：In semiconductingtransformationRTV the coating electrolyte． Room vulcanizedf RTV)siliconerubber wasaneffectiveof flashover temperature coating waypreventingpollution in forinsulatorusedextra becauseofits highvoltagegrid rigidity-adhesion，resistance，andhavinggoodperform— anceof and transmission．Onthebasisof novel hehav— hydrophobichydrophobie previousstudies，asemiconducting iorofRTV was studiedthe transformationofRTV coatingproposed．Thispaper semiconducting phenomenacoating inthe