SiC结型场效应功率晶体管特性及其驱动设计 Research on Characteristics and Driver Circuit of SiC JFET.pdfVIP

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2017-08-02 发布于上海
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SiC结型场效应功率晶体管特性及其驱动设计 Research on Characteristics and Driver Circuit of SiC JFET

第46卷第12期电力电子技术 V01．45，No．12 2012年12月 PowerElectronics December2012 SiC结型场效应功率晶体管特性及其驱动设计李正力1，潘三博2，陈宗祥 (1．许继电源有限公司，河南许昌461000；2．安阳师范学院，物电学院，河南安阳455000) 摘要：SiC结型场效应功率晶体管(JFET)是目前较成熟的宽禁带功率半导体，具有良好的电气性能。但在使用过程中，JFET存在常态下开通的特性与开关时du／dt对驱动电压影响较大的问题。在分析器件等效电路的基础上，从理论上讨论了du／dt对驱动电压的影响，并提出一种驱动电路。该驱动电路采用电平转化电路及有源吸收电路，实现了控制电路信号与SiC器件驱动信号逻辑电平匹配；同时，在高速开关时，能有效减小容性电流对驱动电压的影响，可靠开关SiC器件。最后，给出了驱动信号、驱动电压变化及器件开关过程的实验波形，证明了驱动电路的有效性。关键词：结型场效应功率晶体管：宽禁带：驱动电路中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2012)12一0064-03 ResearchonCharacteristicsandDriverCircuitofSiC JFET LI San—b02，CHEN Zheng—lil，PAN Zong—xiang Power (1．XJ 461000，China) Co．，Ltd．，Xuchang Abstract：SiCfieldeffect amuchmaturewideband semi-conductorat junction powertransistor(JFET)is gap power has electrical in devicehas Oil thedrive present．hgood properties．Whileusage，the normallyproblem，and voltage causeddu／dtismuchserious．BasedOilthe ofthe drop by discussinganalysis device’S circuitandthe equivalent on ofdu／dttothedrive a drive levelcon- theoreticallyanalysingimpact voltage，thispaperpresents circuit．By taking versioncircuitandtheactivesnubber realizeslevel ofthecontrol andtheSiCdevice circuit，it logic matching signals drive