TESEQ公司的80～1000MHz功率放大器 High Efficiency 80～1 000 MHz Amplifiers from TESEQ.pdfVIP

·产品介绍· 000 MHz功率放大器 TESEQ公司的80--1 80-1000 from MHz TESEQ HighEfficiency Amplifiers 北京特测电子仪器有限公司王建伟 大的好处是其工作电压较低，工作电流较大。这也就意味 北京特测电子仪器有限公司(TESEQ公司)的功率放 大器是一款非常高效的A级固态功率放大器，其在∞一 着由于输出电容造成的射频电流损耗的比例是比较低 l 000 MHz频段一般只需要消耗同类功率放大器约一半 的。不同技术的相关性能对比如表l所示。假设晶体管的 的能量就可以实现其他同类功率放大器的性能。为何 输出功率为25w时，在lCHz频率下的输出电容的电 TESEQ公司的功率放大器具有如此优异的性能表现呢?抗值用xc来表示，其与输出负载电阻值的比值用FOM 首先，它采用了高效率的开关电源，并且尽量减少由 贡献率来表示。贡献率为l或者更大时，说明更容易补 偿，而贡献率为0．5左右时表明很难做优化匹配处理。如 于功率合成器造成的RF功率损耗。其次，TESEQ公司的 功率放大器使用的晶体管采用的是砷化镓半导体技术。这 果贡献率更低的话会显著降低晶体管的性能。 是TESEQ公司的功率放大器与采用硅晶体技术产品 裹1 不同半导体技术输出电窖值比较 的显著区别。与硅晶体技术及最新的氮化镓(GaN)技术 技术类型 输出电蓬跏F 负载，n 电抗值，n 贡献率 相比，砷化镓(CaAs)半导体技术在以下几个方面拥有 砷化镓 10 6．25 15．9 2．54 独特的优势： 纵向金属氧化物硅 ·更低的电容； 晶it-*导体 24 25 6．6 O．26 ·更低的热阻性； 横向双扩散金属氧 ·更低的失真度。 化物硅晶体半导体 15 25 10．6 O。42 ^ 双极性硅晶体 23 25 6．9 0．28 93 1更低的电容 氮化镓 2 25 79．5． 3．18 所有射频RF功率放大器所使用的晶体管都会受 兮 到其输出电容的限制。图l所示为简单的晶体管输出电路 双极性硅晶体管早已不再使用，只是有一些过时的 简图。晶体管本身是作为一个电流源，，c是晶体管的等 老产品还有使用。大部分半导体厂家基本上都采用了横 效输出电容，它是由晶体管本身的结构所决定的。尺