Y_2O_3掺杂ZnO-Bi_2O_3压敏瓷的显微组织和电性能 Microstructure and Electrical Properties of Y_2O_3-doped ZnO-Bi_2O_3-based Varistor Ceramics.pdfVIP

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2017-08-02 发布于上海
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Y_2O_3掺杂ZnO-Bi_2O_3压敏瓷的显微组织和电性能 Microstructure and Electrical Properties of Y_2O_3-doped ZnO-Bi_2O_3-based Varistor Ceramics

第35卷第10期高电压技术 V01．35NO．10 ·2366·2009年10月31日 HighVoltageEngineering Oct．31。2009 Y203掺杂ZnO—Bi203压敏瓷的显微组织和电性能徐东h2，施利毅1，巫欣欣3，钟庆东1 3．上海大学理学院，上海200444) 摘要：为了提高氧化锌压敏瓷的综合电性能，采用高能球磨制备Yz0。掺杂ZnO压敏瓷，通过扫描电镜和x射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析，探讨了Y：0。对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。结果表明， V／mm，非线性系数为23．6～40．1，漏电流为 Y：0。掺杂摩尔分数在o～1．00％时，压敏瓷的电位梯度为332～597 V／存在，钉扎在晶界，阻碍晶粒长大；或者与Bi。0。固溶形成含Y的富铋相，使Biz0。促进晶粒生长的作用受到抑制。关键词：压敏电阻；氧化锌；氧化钇；电性能；显微组织；烧结中图分类号：TB34；TN304．93文献标志码：A 文章编号：1003—6520(2009)10—2366—05 andElectrical of Microstructure Y2 Properties03-doped VaristorCeramics ZnO—Bi203-based XU Xin—xin3，ZHONG Don91”，SHILi—yil，WU Qing—don91 (1．ResearchCenterofNanoScienceand Technology，ShanghaiUniversity，Shanghai 2．SchoolofMaterialScienceand 212013，China； Engineering，JiangsuUniversity，Zhenjiang of 200444，China) Science，ShanghaiUniversity，Shanghai 3．College ball the varistorceramicswere milling，and Abstract：Y203一dopedZnO-Bi203一based preparedbyusinghighenergy of electrical andmicrostructureofthevaristorceramicswerestudied．Withaddition0～1．00％Y203。 properties ZnO-basedvaristorceramicswere withthe of332～597 n