微区中MBE共度生长SiGeSi异质结构的应变与退火效应.pdfVIP

微区中MBE共度生长SiGeSi异质结构的应变与退火效应.pdf

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第 卷 第 期 半 导 体 学 报 年 月 微区中 共度生长 异质结构的 应变和退火效应 杨鸿斌 樊永良 张翔九 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海 摘要报道了在 衬底上微米尺寸的介质膜窗口中采用分子束外延技术共度生长的 薄膜的应变及其 退火特性 实验表明微区生长材料的这些特性与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比有明显的不同 微米尺寸窗口中生长的 材料的应变与窗口尺寸有关也和窗口的掩膜中的内应力有关 实验还表明边缘 效应对于微区中共度生长的 材料的热稳定性也有显著的影响 在 窗 口中共度生长的 异质结构材料在 高温退火 后它的应变弛豫不大于 远小于同一衬底上非微区生长 材料的应变弛豫 文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨 关键词 应变位错分子束外延 中图分类号 文献标识码 文章编号 对于微区中共度生长的材料边缘效应尤其是窗口 引言 掩膜的边缘效应对于材料应

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