34带间间接光跃迁.doc

3.4 带间间接光跃迁 前面讨论了晶体中的电子体系与辐射场间相互作用最主要的一项导致的带间跃迁。这样的跃迁元过程的结果是，辐射场的光子数增加或减少1，相应地电子体系中有一个电子从某个能带中的某个能态变到另一能带的一个状态。除了能量守恒 ，电子自旋守恒，跃迁还遵循准动量守恒 或，也即跃迁在空间为竖直跃迁。这样的跃迁只涉及电子体系与辐射场间的相互作用，称之为直接跃迁。 下面我们要讨论另一种情形，例如间接能带半导体（如Si, Ge等）的情形，它们的导带底与价带顶处在空间中的不同位置，导带底与价带顶之间的（直接）光跃迁，由于准动量守恒定则的限制，是被禁戒的。然而，实验上这样的跃迁的确被观察到了。当光子能量大于帶隙，但小于直接（竖直）跃迁所需的能量时，就可观察到光吸收现象，尽管较弱。这时发生的过程只能对应于电子从价带顶跃迁到导带底，对这样的跃迁，电子准动量显然不守恒，在能带图上表现为非竖直的跃迁。 这种波矢空间能带图上非竖直的跃迁是由于跃迁中有声子参与，跃迁中不但光子数改变，同时还有声子数的改变，动量守恒就是由声子动量的变化来达到的。 这种有声子参与的非竖直跃迁称之为间接跃迁。 最简单的情形：过程中只涉及一个声子，动量守恒就变成 （3.4-1） 声子波矢前的正负号相应于过程中湮灭和产生一个声子 当然，整个过程应遵循能量守恒，