ru 掺杂sn 基氧化物电极的第一性原理计算 - 中国有色金属学报.pdfVIP

第 24卷第 5期 中国有色金属学报  2014年 5月  Volume 24 Number 5  The Chinese Journal of Nonferrous Metals  May 2014  文章编号：1004­0609(2014)05­1333­06  Ru掺杂 Sn基氧化物电极的第一性原理计算 1,2,3  1, 2  1,2  1,2  1  1,2  刘雪华  ，邓芬勇  ，翁卫祥  ，王 欣  ，林 玮  ，唐 电  (1. 福州大学 材料研究所，福州  350108；  2. 福州大学 材料科学与工程学院，福州  350108；  3. 福建工程学院 材料科学与工程学院，福州  350108)  摘 要：采 用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似， 研究 Ru 掺杂 SnO 形成的 Sn Ru O 2  0.875 0.125 2  复合氧化物电极的晶体结构和电子结构，比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明：  Ru 掺杂后 SnO 的晶胞体积缩小，复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化，导致 2  材料的导电类型呈现近金属特性， 揭示 Ru掺杂后 SnO 导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的 2  贡献。 关键词：Sn基氧化物；Ru 掺杂；第一性原理计算；电子结构；导电性能 中图分类号：TG174.4  文献标志码：A  First­principlescalculation of Ru­doping Sn­based oxide electrode  1,2,3  1, 2  1,2  1,2  2  1,2  LIU Xue­hua  , DENG Fen­yong  , WENG Wei­xiang  , WANG Xin  , LIN Wei , TANG Dian  (1.Institute for Materials Research, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China;  2. College of Material Science and Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China;  3. College of Materials