通用照明大电流密度高电压交直流LED芯片.docVIP

通用照明的大电流密度的高电压交/直流LED芯片 一、背景 　　按照业界比较乐观的估计，在未来3至5年内，LED将大举进入通用照明。一方面，各个LED芯片公司都在扩产，另一方面，其他资金也大量进入LED芯片产业，因此，使得设备交货周期加长，原材料（包括蓝宝石）供应短缺。为了解决蓝宝石衬底的供应问题，除了蓝宝石厂本身扩产外，2010年7月，晶电投资蓝宝石生产厂家兆远和兆晶；2010年9月，协鑫集团与阜宁县共同投资30亿元兴建蓝宝石生产公司。2010年10月，长春利泰投资公司拟出资13.5亿元，在金州新区投资LED蓝宝石项目。 　　LED进入通用照明的主要瓶颈之一在于，LED芯片的价格成本太高。 　　为了降低LED芯片的价格，除了降低LED芯片的生产成本之外（包括蓝宝石衬底的价格），最快、最有效的方法是采用大电流密度驱动LED芯片，使得一个芯片发出的光相当于几个传统的LED芯片发出的光。为了更直观的理解这一方法，引入两种芯片产能的定义： 　　（A）“芯片产能”； 　　（B）“lm产能”，即，采用lm数量来计算芯片厂的产能，因为照明灯具的要求是采用lm（或lux）数来计算，而不是灯具所使用的芯片的数量来计算，这有些像发电厂的产能是按发电量计算的一样。 　　例如，一个芯片厂的“芯片产能”是：月产100 kk的45mil芯片。 　　如果每个芯片封装后在350mA驱动下发出100 lm的光，可以说该厂的“lm产能”是10 kkk lm。但是，如果每个芯片封装后在1A电流驱动下发出300 lm的光，可以说该厂的“lm产能”是30 kkk lm。然而，按照350mA驱动的100 lm的LED芯片，为了达到30 kkk lm的“lm产能”，则需要的“芯片产能”是月产300 kk的350mA驱动的45mil芯片。 　　对于上面的例子，这相当于： 　　（A）大电流驱动的芯片的每lm光通量的芯片生产成本减低到原来的1/3； 　　（B）芯片厂家的“lm产能”提高了3倍，但是，芯片厂家的“芯片产能”没有增加，因而，没有增加数额巨大的设备投资，节省了扩产月产200 kk 的“芯片产能”的巨额投资； 　　（C）也节省了月产200 kk的350mA驱动的芯片的外延生长和芯片工艺的原材料费用。 　　如果能采用更大的电流（例如，数安培的电流）驱动，则优势更大。 　　虽然至今已有多家芯片公司推出大电流密度驱动的LED芯片，但是，目前大电流驱动芯片并没有被广泛采用。在灯具中采用大电流驱动芯片的主要瓶颈之一在于，下游厂家的封装和灯具的散热性能达不到要求，造成结温太高，寿命减小，芯片极易烧坏。然而，随着封装和灯具的散热效率的提高，大电流密度驱动将成为照明市场的主力。 　　LED进入通用照明的其他瓶颈在于，由于传统的LED芯片采用低电压直流电驱动，LED灯具的驱动器的价格进一步推高LED灯具的价格。降低LED灯具的价格，也包括降低LED灯具的电源的整流部分和变压部分的成本。 　　目前，降低LED芯片和灯具的价格的产品和技术方案包括： （1）大电流密度驱动的直流LED芯片，其优势是，极大的降低LED灯具的芯片成本； （2）交流高电压LED芯片，其优势是，降低LED灯具的整流和变压功能的成本； （3）直流高电压LED芯片，其优势是，降低LED灯具的变压功能的成本。 （4）大电流密度驱动的直流高电压LED芯片，其优势是，降低LED芯片的成本，降低LED灯具的变压功能的成本。 （5）大电流密度驱动的交流高电压LED芯片：其优势是：降低LED芯片的成本，降低LED灯具的整流和变压功能的成本。 　　同时，LED芯片的结构在不断地改进，目标是进一步降低LED芯片和灯具的价格，使得LED更快的进入通用照明。 二、直流LED芯片 　　（一）大电流密度的直流LED芯片　　传统的LED芯片采用低电压的直流驱动，LED芯片的结构包括正装结构芯片、倒装结构芯片、垂直结构芯片、无需打金线的垂直结构芯片（或称为“3维垂直结构芯片”）。 　　大电流密度驱动的LED芯片是驱动电流密度大于传统的驱动电流密度（35A/cm2）。 　　大电流密度驱动的LED芯片的几个例子如下： 　　例1：一个1x1 mm2的1W大功率LED芯片的传统的驱动电流密度约为35A/cm2；大电流密度的LED芯片是：驱动电流密度大于35A/cm2。例如，采用电流密度为100A/cm2的电流驱动，即，采用1A电流驱动1x1 mm2的LED芯片。 　　例2：一个45 x 45 mil2的高电压芯片，采用30mA@220V驱动。为了能够承受220V的高电压，该芯片至少包括串联的70个芯片单元，每个芯片单元的面积最大为0.01866mm2（= 45x45mil2/70），在30mA电流下，即30mA电流通过每个芯片单元，即，每个芯片单元的电流密