集成电路专业试验教学大纲.doc

《实验》教学大纲 实验巩固和学生灵活运用理论知识解决实际问题的能力学生。数据处理MOS C-V特性C-V特性测试仪、X-Y函数记录仪等测定MOS结构C-V特性，计算样品的SiO2膜厚、可动电荷、固定电荷、衬底浓度、平带电压等参数并分析结果。 1.基本要求 （1）掌握C-V测试仪、X-Y函数记录仪的使用方法。 （2）通过C-V曲线，熟悉MOS相关参数的测试分析技术。 （3）提交实验报告。 2.重点、难点 重点：半导体C-V特性曲线测试，相关参数计算分析。 难点：测试结果分析。 3.说明： C-V特性反映了MOS结构重要的物理信息。 (七) 椭偏法测量薄膜厚度(2学时) 使用椭圆偏振仪测量SiO2薄膜厚度，计算折射率，并对实验结果进行分析。 1.基本要求 （1）掌握薄膜厚度的椭偏仪测试原理和方法。 （2）计算薄膜折射率。 （3）提交实验报告。 2.重点、难点 重点：样品SiO2薄膜厚度测试和折射率计算； 难点：测试原理。 3.说明：椭偏法是测量半导体薄膜厚度的常用方法。 微电子器件性能部分(选做3个) (一) MOS场效应晶体管Kp、Nf的测试(2学时) 测量MOSFET功率增益Kp、噪声系数Nf，分析Kp、Nf分别与工作电流、工作电压、测试频率的关系。 1.基本要求 （1）掌握MOS场效应晶体管功率增益Kp、噪声系数Nf的测试原理和测量技能。 （2）分析Kp、Nf分别与工作电流、工作