埋层深度对Triple-RESURFLDMOS纵向电场和击穿电压的影响.PDF

第 卷第 期 微 电 子 学 , 45 2 Vol.45 No.2 年 月 2015 4 Microelectronics A r.2015 p 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 埋层深度对Trile-RESURFLDMOS纵向电场 p 和击穿电压的影响 , , 宋庆文 胡夏融 冯 灏 ( , ) 西华大学 物理与化学学院 成都 610039 : 。 摘 要 研究了 埋层深度对体硅 纵向电场和击穿电压的影响 分 P TrileRESURFLDMOS p- , , , ; 析表明 当 型埋层靠近器件表面时 纵向电场平均值较小 击穿电压较低 当 型埋层靠近衬底 P P , , ; , 2/ 时 优化漂移区浓度较低 器件比导通电阻较大 当 型埋层位于漂移区中部时 器件的 , P BV Rson 。 , 设计优值最大 指出了 型埋层在漂移区不同区域时击穿点的位置 以及对应的漂移区浓度取值 P , 。 范围 为横向高压 TrileRESURFLDMOS的设计提供了参考 p- 关键词: ;击穿电压; ;纵向电场 TrileRESURF LDMOS p- 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN433 A 1004-3365201502-0253-05 InfluencesoftheBuried-LaerDethonVerticalElectricFieldand y p BreakdownVoltaeofTrile-RESURFLDMOS