基于018 滋m 工艺SOI 技术60 V LDMOS 的设计与分析 - 电子器件.PDF

第36卷 第2期 电 子 器 件 Vol.36摇 No.2 2013年4 月 ChineseJournal of Electron Devices Apr.2013 0.18 滋m60 V SOI LDNMOS Technology Design and Analysis* 1 1* 2 1 QI Fan ,TAN Baimei ,WENGKun ,SONG Wen (1.Institute of Microelectronics,Hebei University of Technology,Tianjin30000,China; 2.FujianKey Laboratory of Microelectronics Integrated Circuits,Fuzhou University,Fuzhou350002,China) Abstract:With the ever鄄shrinking sizeof power devices,theattentionof SOItechnology isincreasing.60 V LDMOS deviceswere designed and analyzed based on SOI technology with 0.18 滋m process by using SILVACO company process(Athena)and device(Atlas)simulation software. The devices were researched by the different channel width.The DC characteristics of deviceswere analyzed by tapeout results.Therefore,the significant influence of the devicesfloating bodies effect and kink effect brought by the buried oxide layer in SOI device are not obvious.The design has realized a very good optimized60 V LDMOS in smaller size. Key words:silicon鄄on鄄insulator;LDMOS;device tapeout test;device structure;DC characteristic EEACC:2530;2560摇 摇 摇 摇 doi:10.3969/j.issn.1005-9490.2013.02.001 基于0.18 滋m工艺SOI技术60 V LDMOS的设计与分析* 1 1* 2 1 戚摇 帆 ,檀柏梅 ,翁摇 坤 ,宋摇 雯 (1.河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津300130;2.福州大学福建省微电子集成电路重点研究室,福州350002) 摘摇 要:随着功率器件尺寸的不断缩小,绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加。 在0.18滋m工艺条件下基于SOI技术,运 用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和(Atlas)器件仿真模拟软件,完成了对60 V LDMOS的设计与分析,对不同沟道管宽度 的器件进行研究,并结合实际流片的测试结果,对器件直流性能进行了表征与分析,发现SOI器件无明显的由氧化埋层隔离作 用所产生的显著影响器件性能的浮体效应和kink效应,实现了性能优良的小尺寸60 V LDMOS器件。 关键词:绝缘体上硅;LDMOS;器件流片测试;器件结构;直流特性 中图分类号:TN386摇 摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 摇 文章编号:1005-9490(2013)02-0139-04 摇 摇 随着电子科学技术的迅猛发展,纳米级(100 nm